沈勤我
- 作品数：49 被引量：62H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究被引量：1
- 2001年
- 研究了覆盖层为铁磁性的 Fe和非铁磁性的 Ti、 Cu的 Co/Cu/Co三明治在室温和低温下 的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时 , Co/ Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值 没有明显变化，但以 Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小，而 Ti、 Cu覆盖层对三 明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时，覆盖层使 Co/Cu/Co三明治的巨 磁电阻值显著增加，表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层 Co所形成的界面密切相关。
- 潘强沈鸿烈祝向荣李铁沈勤我邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应覆盖层金属多层膜
- Co/Cu/Co三明治膜的巨磁电阻效应研究被引量：1
- 1999年
- 采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ 三明治膜，研究了衬底晶向、过渡层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响；结合原子力显微镜表面形貌观察，探讨了三明治膜表面（ 界面）粗糙度与其巨磁电阻效应的内在关系；还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。
- 沈鸿烈李铁沈勤我李冠雄潘强邹世昌
- 关键词：磁电阻效应电子束蒸发多层膜
- NiO/Co/Cu/Co自旋阀中反铁磁NiO层钉扎作用的研究
- 1999年
- 本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ ５．５ｎｍ／Ｃｕ ３．５ｎｍ／Ｃｏ ５ ．５ｎｍ 自旋阀结构中磁电阻的变化，探讨了ＮｉＯ 反铁磁层对相邻的Ｃｏ 层的钉扎作用。研究发现，材料中的钉扎方向是唯一确定的，只有沿着钉扎方向反向增大外场，才能获得高的巨磁电阻效应和磁灵敏度。
- 李铁沈鸿烈沈勤我徐梅娣邹世昌
- 关键词：自旋阀反铁磁巨磁电阻材料
- Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性
- 1999年
- 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中，在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散，发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性，从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。
- 李冠雄沈鸿烈沈勤我李铁邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应磁各向异性
- 一种器件转移技术
- 本发明涉及采用多孔硅分离技术将硅衬底上制作的器件转移到特定衬底上实现器件的转移。属于微电子领域。本发明特征是利用阳极氧化的方法在单晶硅片上制作具有分层结构的多孔硅,在多孔硅的外延层上制作器件,采用倒装贴片技术将电路与特定...
- 王连卫刘卫丽沈勤我林成鲁
- 文献传递
- 多孔硅在HFH2O2溶液中的腐蚀行为及外延层转移制备SOI的研究
- 对多孔硅在HF/H<,2>O<,2>溶液的腐蚀行为进行了研究,与通常硅的腐蚀行为不同,多孔硅以孔内腐蚀为主,最后硅柱一起坍塌,多孔硅相对于硅有很高的腐蚀选择率.用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散...
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁
- 关键词：多孔硅SOI材料
- 文献传递
- 一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
- 2002年
- SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .
- 安正华张苗门传玲谢欣云沈勤我林成鲁
- 关键词：硅锗硅集成电路SIGESISOI结构
- 超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究被引量：14
- 1998年
- 用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化后处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１００００Ｃ３０分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。
- 黄继颇王连卫高剑侠沈勤我林成鲁
- 关键词：氮化铝电子束蒸发氮化半导体
- Si/Co/Cu/Co薄膜中各向异性巨磁电阻效应及其与微结构的关系
- 沈鸿烈李冠雄沈勤我李铁邹世昌
- 关键词：金属薄膜各向异性巨磁电阻效应微结构
- 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法
- 本发明涉及一种以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为绝缘埋层的新型绝缘层上硅衬底材料及制备方法,属于微电子学中半导体材料及制备工艺。本发明的特征在于它由三层构成,顶层单晶硅,厚度100－2000nm,...
- 万青章宁琳林青沈勤我张苗林成鲁
- 文献传递
