周忠堂
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
- 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的...
- 英敏菊杜小龙梅增霞曾兆权周忠堂郑浩袁洪涛周均铭贾金锋薛其坤
- 关键词：分子束外延生长
- 文献传递
- AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性被引量：7
- 2007年
- 对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下,观察到量子霍尔效应,Shubnikov-de Haas(SdH)振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,说明引入AlN层可以有效减小合金散射,进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.
- 周忠堂郭丽伟邢志刚丁国建谭长林吕力刘建刘新宇贾海强陈弘周均铭
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
- GaN基HEMT材料生长与物性研究
- 氮化镓(GaN)基材料具有禁带宽度大，电子饱和漂移速度大，化学稳定性好，抗辐射，耐高温，容易形成异质结等优势，成为制造高温，高频，大功率，抗辐射高电子迁移率晶体管(HEMT)的首选材料，GaN基HEMT器件应用前景广泛，...
- 周忠堂
- 关键词：金属有机物化学气相沉积高电子迁移率晶体管二维电子气
