周均铭
- 作品数：161 被引量：149H指数：6
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>
- 一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
- 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1....
- 蒋中伟王文新陈弘周均铭郭丽伟贾海强李卫高汉超
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- MOCVD方法生长的InN及InGaN薄膜的特性研究
- 利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InN和InGaN薄膜。室温InN样品的荧光峰在0.7eV左右,证实了InN具有小的带隙。通过插入GaN缓冲层,InN薄膜(0002)摇摆曲线半高宽从1.09°降到0.36°,载流子...
- 朱学亮郭丽伟彭铭曾张洁丁国建贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜INGANMOCVD
- 文献传递
- Si(001)衬底上GeSi外延膜的Crosshatch起源研究
- 本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.
- 陈弘李永康彭长四刘洪飞黄绮周均铭
- 关键词：SI衬底分子束外延生长
- 文献传递
- 含InGaAs层多量子阱3-5μm红外探测器的制备与特性
- 李宏伟黄绮周均铭
- 关键词：多量子阱红外探测器
- 光和热诱导载流子的光电流谱比较研究
- 1998年
- 测量了包含有超薄层AlAs／GaAs超晶格的GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光电流谱，比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡越超薄层AlAs势垒的隧穿时间，得到了光电导对外电场的依赖关系。
- 万明芳陈效双窦红飞陆卫沈学础周均铭
- 关键词：光电流谱隧穿时间多量子阱结构
- 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
- 本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；...
- 陈弘王晶贾海强郭丽伟周均铭李卫汪洋邢志刚
- 文献传递
- 中国分子束外延技术发展历程被引量：4
- 2021年
- 1前言分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。其基本原理是在超高真空条件下,将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长(图1)。由于每一台分子束炉的炉口装有一个能快速开闭的快门,因而生长时能快速改变所生长材料的成分及掺杂种类。
- 周均铭
- 关键词：化合物半导体分子束薄膜生长超高真空
- GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析被引量：10
- 2000年
- 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .
- 李娜袁先漳李宁陆卫李志峰窦红飞沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮
- 关键词：砷化镓能级结构光谱
- 穿通型高增益AIGaAs/GaAs光电倍增管
- 1992年
- 根据理论分析,在中低速率情况下。
- 魏东平韩卫李国辉周均铭
- 关键词：异质结光电晶体管穿通
- 原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)被引量：3
- 2010年
- 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。
- 李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积应力
