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郭丽伟

作品数：94 被引量：75H指数：5
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 23篇会议论文
  • 17篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 18篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇语言文字

主题

  • 33篇石墨
  • 31篇石墨烯
  • 27篇衬底
  • 14篇碳化硅
  • 12篇发光
  • 8篇多量子阱
  • 8篇图形衬底
  • 8篇光源
  • 8篇光增益
  • 8篇二极管
  • 7篇电极
  • 7篇探测器
  • 7篇紫外探测
  • 7篇硅衬底
  • 6篇紫外探测器
  • 6篇纳米
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 6篇光伏效应
  • 6篇发光二极管

机构

  • 91篇中国科学院
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇大连民族学院
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 92篇郭丽伟
  • 50篇陈小龙
  • 30篇贾玉萍
  • 29篇周均铭
  • 26篇陈弘
  • 20篇贾海强
  • 16篇芦伟
  • 13篇林菁菁
  • 12篇王文军
  • 11篇李治林
  • 9篇黄郊
  • 9篇邢志刚
  • 9篇汪洋
  • 8篇朱学亮
  • 7篇黄绮
  • 7篇李康
  • 7篇张洁
  • 7篇王刚
  • 6篇彭铭曾
  • 6篇韩英军

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 3篇激光与红外
  • 3篇第六届全国分...
  • 3篇第十七届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇物理
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇2005年全...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 9篇2017
  • 8篇2016
  • 10篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 13篇2007
  • 3篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
共 94 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、石墨烯层、第一电极和第二电极，其中，所述石墨烯层的...
郭丽伟杨军伟陈小龙
文献传递
偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位[1]。因此针对二维材料的检测，特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。
贾玉萍郭丽伟芦伟黄郊李治林陈洪祥陈小龙
关键词：石墨烯
低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法
一种低极化效应GaN发光二极管外延用材料及制法：在蓝宝石或SiC衬底上用半导体器件沉积技术依次生长由GaN缓冲层和n型GaN层组成的n型InGaAlN层、由InAlGaN多量子阱结构极化调控层和InAlGaN多量子结构发...
陈弘贾海强郭丽伟王文新周均铭
文献传递
一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1....
蒋中伟王文新陈弘周均铭郭丽伟贾海强李卫高汉超
文献传递
MOCVD方法生长的InN及InGaN薄膜的特性研究
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InN和InGaN薄膜。室温InN样品的荧光峰在0.7eV左右,证实了InN具有小的带隙。通过插入GaN缓冲层,InN薄膜(0002)摇摆曲线半高宽从1.09°降到0.36°,载流子...
朱学亮郭丽伟彭铭曾张洁丁国建贾海强陈弘周均铭
关键词：半导体薄膜INGANMOCVD
文献传递
一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；...
陈弘王晶贾海强郭丽伟周均铭李卫汪洋邢志刚
文献传递
一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。
陈小龙郭丽伟刘春俊
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一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
本发明提供一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：步骤一：采用脉冲激光辐照所述半导体抛光晶片；步骤二：用显微镜观察经过脉冲激光辐照的半导体抛光晶片表面；其中，所述脉冲激光的总辐照能量密度介于第一损...
郭丽伟甘弟陈小龙
文献传递
6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯性能研究
石墨烯是一种二维零带隙半导体材料:一方面其具有丰富的物理内涵,如费米能级附近载流子呈现为无质量狄拉克费米子,奇异的量子霍尔效应,弹道输运,手性隧穿等[1];另一方面其拥有巨大的潜在应用价值,如超高的载流子迁移率[2]使其...
黄郊郭丽伟林菁菁贾玉萍芦苇陈莲莲陈小龙
关键词：SIC
文献传递
紫外探测器
本发明提供了一种紫外探测器，包括SiC板；位于所述SiC板上的石墨烯层；以及位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极。本发明的紫外探测器能够实现对紫外光的超快探测，对紫外光探测的精度和灵敏度高，制造成本低。
陈小龙郭丽伟黄郊贾玉萍芦伟
文献传递
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