徐中仓
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 砷化镓高频PHEMT小功率晶体管
- 砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下...
- 李拂晓蒋幼泉高建峰黄念宁徐中仓
- 关键词：砷化镓高电子迁移率功率晶体管微波特性
- 文献传递
- 一种高可靠的砷化镓单片DPDT射频开关
- 采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试验表明该塑封单片电路MTTF已达6.2...
- 李拂晓蒋幼泉徐中仓钮利荣邵凯杨乃彬
- 关键词：可靠性砷化镓单片开关
- 文献传递
- 用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制被引量：2
- 2002年
- 报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
- 蒋幼泉陈继义李拂晓高建峰徐中仓邵凯陈效建杨乃彬
- 关键词：手机双刀双掷开关
- 用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管
- 2002年
- 砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率增益高等特点。我们研制的0.5μm栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益为8dB,X波段输出功率为0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器。
- 李拂晓蒋幼泉张少芳高建峰黄念宁徐中仓陈新宇杨乃彬林金庭
- 关键词：移动通信砷化镓高频晶体管功率器件
- 12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管被引量：1
- 1997年
- 报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。
- 王玉林吴仲华徐中仓陈效建
- 关键词：异质结场效应晶体管
- 手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
- 2002年
- 采用 Ga As75 mm 0 .7μm离子注入场效应晶体管 (MESFET)标准工艺技术研制出手机用 Ga As双刀双掷(DPDT)单片射频开关 (以下简称单片开关 ) .成品率分析表明 ,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括 :材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等 .优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在 90 %左右 ,微波成品率稳定在 80 %左右 。
- 李拂晓蒋幼泉吴振海徐中仓钮利荣周剑明邵凯杨乃彬
- 关键词：手机成品率分析砷化镓
- 一种高可靠的砷化镓单片DPDT射频开关
- 采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验。寿命试验表明该塑封单片电路MTTF已达6.2...
- 李拂晓蒋幼泉徐中仓钮利荣邵凯杨乃彬
- 关键词：可靠性砷化镓单片开关
- 文献传递
