杨乃彬
- 作品数：53 被引量：41H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术天文地球更多>>
- 移动通讯用GaAs MMIC开关
- 采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs SPST开关集成电路,在0.9GHz,插入损耗小于0.7dB,隔离度大于45dB.产品性能指标达到国外同类产品,并可以形成批量生产能力.
- 陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉许正荣袁江龙邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓开关金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路
- 文献传递
- GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制被引量：2
- 2021年
- 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。
- 薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵
- 关键词：电荷控制模型
- GaN HFET中的实时能带和电流崩塌被引量：4
- 2019年
- 从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。
- 薛舫时杨乃彬郁鑫鑫
- 关键词：电流崩塌
- 移动通信用GaAs集成电路的微波自动测试系统
- 建立用于移动通讯用GaAs集成电路的自动测试系统,采用HP-VEE编写软件,通过微机GPIB总线控制微波测试设备,实现GaAs集成电路的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs集成电路批量化生产的需求.
- 吴振海陈新宇洪倩李拂晓邵凯杨乃彬
- 关键词：GAASMMICGPIB
- 文献传递
- 高成品率手机用砷化镓单片开关
- 采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关)。该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I小于0.52dB...
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓单片开关
- 文献传递
- 移动通信砷化镓射频集成电路开发及产业化
- 李拂晓蒋幼泉杨乃彬陈新宇陈辰邵凯钱峰钮利荣许正荣吴振海徐中仓冯欧杨立杰
- 以中国电子科技集团公司第五十五研究所所现有砷化镓3英寸、0.5微米集成电路工艺线为依托，自主开发移动通信基站和手机用砷化镓射频集成电路，主要研究内容包括砷化镓标准工艺技术、工艺控制技术、批生产技术、射频产品的塑封技术、电...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓射频集成电路移动通信
- 用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制被引量：2
- 2002年
- 报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
- 蒋幼泉陈继义李拂晓高建峰徐中仓邵凯陈效建杨乃彬
- 关键词：手机双刀双掷开关
- 数字硅MOSFET微波特性的研究
- 2002年
- 利用国内先进的 0 .6μm数字 Si-MOS工艺 ,设计了射频 MOSFET,并研究了其 DC和微波特性 :I-V曲线、S参数、噪声参数和输出功率。研究发现 ,数字电路用 Si MOSFET的频率响应较高 :频率为 1 GHz时功率增益可达 1 0 d B,2 GHz时为 8d B,4GHz时为 5 d B。 1 .8GHz时 ,1分贝压缩输出功率 1 2 .8d Bm,饱和输出功率可达 1 8d Bm,且最小噪声系数为 3 .5 d B。用提取的参数设计并研制了微波 Si MOSFET低噪声放大器 ,以验证MOS器件的微波性能。此放大器由两级级联而成 ,单电源供电 ,输入输出电容隔直。在频率 1 .7～ 2 .2 GHz的范围内 ,测得放大器增益 1 5± 0 .5 d B,噪声系数 N F<3 .8d B,1分贝压缩输出功率 1 2 d Bm;在频率 1 .5～ 2 .5 GHz的范围内 ,放大器增益大于 1 3 d B。
- 彭龙新张斌杨乃彬邵凯
- 关键词：微波特性
- GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带被引量：2
- 2020年
- 从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。
- 薛舫时杨乃彬陈堂胜
- 关键词：电流崩塌
- MBE技术在我国微波应用领域的实用化及其展望
- 陈效建林金庭杨乃彬
- 关键词：MBE技术
