邵凯
- 作品数：64 被引量：46H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- DC-40 GHz光通信系统用GaAs PHEMT驱动放大器。被引量：6
- 2006年
- 利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率增益14dB,功耗700mW,最大电压输出幅度达到7V。两级芯片级连后,功率增益约27dB,在40Gbit/s速率下得到清晰的眼图。
- 钱峰陈堂胜郑远李拂晓邵凯
- 关键词：宽带放大器
- 1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
- 本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
- 郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
- 关键词：功率放大器芯片分析
- 高Tc超导材料—新的结构和潜在的应用
- 1989年
- 本文介绍了新的钇钡铜氧系列高T_c超导材料的特性和结构特点,以及相应的电子能带结构,并对主要的理论解释作了扼要介绍;最后介绍了厚薄膜和器件制备的进展情况并作了预测。
- 邵凯
- 关键词：超导材料高TC
- 声电荷输运延迟线
- 1997年
- 声电荷输运技术是80年代初出现的一种新型高频高速信号处理技术，是模拟信号处理领域的重要发展方向。文内报道了声电荷输运延迟线的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。声电荷输运延迟线样品具有1μs的延迟时间，声表面波频率为358MHz。
- 王玉林邵凯范晓红印建华水永安
- 关键词：砷化镓声表面波延迟线
- 1988年国际固体器件和材料会议简况
- 1989年
- 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175篇。我国派出5名代表,发表了3篇论文(北京师范大学,东南大学,南京电子器件研究所各1篇)。这次会议内容涉及面非常广泛,包括了当今世界上正在研究的许多重要课题,主要内容有:MOS器件和技术,功率器件,硅工艺技术,金属化,高速器件,栅绝缘和热电子,SOI,硅异质结构,Ⅲ—Ⅴ族特性和工艺技术,光电器件,化合物半导体生长等。会议举行了四个专题报告会:高温超导薄膜性能和应用,原子尺寸器件结构和材料性能,高级硅器件工艺和性能,高级Ⅲ-Ⅴ族器件物理和性能。会议还举行了题为“高速器件低温工作”的自由讨论会,讨论气氛非常热烈。
- 王烈强邵凯
- 关键词：固体器件
- 1×8线阵高温超导远红外热型探测器研制被引量：1
- 1992年
- 采用高质量的 YBCO 高温超导薄膜,研制成1×8线阵超导远红外热型探测器。测量了线阵中各单元器件的性能,结果表明:NEP 在10^(-11)WHz^(-1/2),D~*在10~8m·Hz^(1/2)·W^(-1)的范围内。
- 杨德嘉邵凯王吉云经东王子良刘心田石保安
- 关键词：高温超导远红外探测器
- 移动通讯用GaAs MMIC开关
- 采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs SPST开关集成电路,在0.9GHz,插入损耗小于0.7dB,隔离度大于45dB.产品性能指标达到国外同类产品,并可以形成批量生产能力.
- 陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉许正荣袁江龙邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓开关金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路
- 824～849 MHz高效率InGaP/GaAs HBT CDMA手机功率放大器
- 利用InGaP/GaAs HBT技术研制了824～849 MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5％,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dB...
- 郑远钱峰应海涛翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：电路性能电流增益
- DC～40GHz光纤通信用前置放大器
- 2005年
- 郑远钱峰陈堂胜李拂晓邵凯
- 关键词：光纤通信前置放大器带宽
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体集成电路产业发展及其应用
- 2003年
- 本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合物半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。
- 邵凯
- 关键词：集成电路产业砷化镓
