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孙燕杰

作品数：2 被引量：19H指数：2
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇电阻率
  • 1篇氧化硅
  • 1篇室温
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇接触电阻
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇半导体纳米材...
  • 1篇掺杂
  • 1篇触电

机构

  • 2篇兰州大学
  • 1篇北京机械工业...

作者

  • 2篇王印月
  • 2篇孙燕杰
  • 2篇杨映虎
  • 1篇甘润今
  • 1篇陈光华
  • 1篇甄聪棉
  • 1篇何山虎
  • 1篇张亚菲
  • 1篇薛华
  • 1篇龚恒翔
  • 1篇郭永平

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率被引量：9
1999年
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。
孙燕杰何山虎甄聪棉龚恒翔杨映虎王印月
关键词：接触电阻率
掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究被引量：10
1999年
用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜，在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量，对复合膜的结构进行了探讨．
王印月薛华郭永平甘润今孙燕杰张亚菲杨映虎陈光华
关键词：二氧化硅掺杂半导体纳米材料
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