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陈燕

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：交通运输工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 8篇电容
  • 8篇电容式
  • 8篇麦克风
  • 7篇硅
  • 6篇空气隙
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅薄膜
  • 4篇牺牲层
  • 4篇硅薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇电路集成
  • 2篇平整度
  • 2篇刻蚀
  • 1篇应力
  • 1篇图案化
  • 1篇结构应力
  • 1篇极板

机构

  • 8篇上海集成电路...

作者

  • 8篇陈燕
  • 6篇康晓旭
  • 4篇王勇
  • 2篇袁超
  • 2篇王伟军
  • 2篇赵宇航
  • 2篇叶红波

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
电容式硅麦克风电极平整度评估结构及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风电极平整度评估结构，包括：衬底；第一介质层，形成于衬底之上；下电极，位于第一介质层之上；上电极，以一空气隙为间隔形成于下电极上方；支撑体，用于支撑并固定上电极；其中，下电极包括多个第一对准件，...
王勇叶红波陈燕
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电容式硅麦克风及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，电容式硅麦克风与一集成电路集成于同一衬底上，包括：在衬底上形成分别用于制作集成电路和硅麦克分电路的第一、第二区域，第二区域包括一钝化层、一器件组和一介质层，器件组包括第一、第二器件...
康晓旭袁超陈燕
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电容式硅麦克风电极平整度评估结构及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风电极平整度评估结构，包括：衬底；第一介质层，形成于衬底之上；下电极，位于第一介质层之上；上电极，以一空气隙为间隔形成于下电极上方；支撑体，用于支撑并固定上电极；其中，下电极包括多个第一对准件，...
王勇叶红波陈燕
电容式硅麦克风及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风，包括：衬底；第一介质层，形成于衬底之上；下极板，位于第一介质层之上；上极板，以一空气隙为间隔形成于下极板上方；支撑体，用于支撑并固定上极板；其中，下极板包括多个具有第一弹性系数的第一弹性部件...
赵宇航王勇康晓旭陈燕
文献传递
电容式硅麦克风及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，电容式硅麦克风与一集成电路集成于同一衬底上，包括：在衬底上形成分别用于制作集成电路和硅麦克分电路的第一、第二区域，第二区域包括一钝化层、一器件组和一介质层，器件组包括第一、第二器件...
康晓旭袁超陈燕
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电容式硅麦克风的制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，包括：提供一衬底，其上设有一电路区域，电路区域至少包括垂直分布的一钝化层、一器件组和一介质层，钝化层为电路区域表面层，介质层设置于钝化层下方，器件组埋设于钝化层底部，其包括第一器件...
王伟军康晓旭陈燕
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电容式硅麦克风及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风，包括：衬底；第一介质层，形成于衬底之上；下极板，位于第一介质层之上；上极板，以一空气隙为间隔形成于下极板上方；支撑体，用于支撑并固定上极板；其中，下极板包括多个具有第一弹性系数的第一弹性部件...
赵宇航王勇康晓旭陈燕
电容式硅麦克风的制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，包括：提供一衬底，其上设有一电路区域，电路区域至少包括垂直分布的一钝化层、一器件组和一介质层，钝化层为电路区域表面层，介质层设置于钝化层下方，器件组埋设于钝化层底部，其包括第一器件...
王伟军康晓旭陈燕
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