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王伟军

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信文化科学交通运输工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 18篇刻蚀
  • 6篇形貌
  • 6篇图形化
  • 6篇刻蚀工艺
  • 6篇半导体
  • 5篇牺牲层
  • 5篇空气隙
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇通孔
  • 4篇介质层
  • 4篇互连
  • 4篇光刻
  • 4篇干法
  • 3篇气体
  • 3篇线宽
  • 3篇传感器结构
  • 2篇导体
  • 2篇低K介质

机构

  • 34篇上海集成电路...

作者

  • 34篇王伟军
  • 7篇林宏
  • 7篇李铭
  • 6篇康晓旭
  • 3篇姚嫦娲
  • 2篇袁超
  • 2篇胡正军
  • 2篇黄仁东
  • 2篇杨冰
  • 2篇曾绍海
  • 2篇汪新学
  • 2篇陈燕
  • 2篇奚鹏程
  • 1篇顾晓冬
  • 1篇王毅博
  • 1篇储佳

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
衬底表面处理方法
本发明公开了一种衬底表面处理方法，所述衬底上形成有图形化膜层，所述图形化膜层上具有难熔金属残留物，所述衬底表面处理方法包括：执行刻蚀工艺，以去除所述图形化膜层上的难熔金属残留物；其中，所述刻蚀工艺使用的刻蚀气体由反应性气...
王伟军袁超康晓旭
通孔形成方法
本发明提供一种通孔形成方法，在通孔刻蚀工艺中对刻蚀设备的上和/或下电极温度进行动态调整，可以调节刻蚀过程中聚合物的产生量，扩大通孔底部的线宽，获得较为垂直的形貌，增大工艺窗口，避免刻蚀停止现象，保持电性能的稳定。在此过程...
王伟军
一种背照式CMOS图像传感器结构的互联工艺方法
本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器结构的互联工艺方法，包括：提供键合后的背照式CMOS图像传感器硅片，在硅片衬底背面形成第二介质层，进行通孔的光刻、刻蚀图形化工艺，在通孔中填充BARC并进行背面通道光刻、刻蚀工艺及...
王伟军
文献传递
干法刻蚀方法
本发明提供一种干法刻蚀方法，在完成第一主刻蚀步骤之后，继续进行第一附加刻蚀步骤，所述第一附加刻蚀步骤中采用第一惰性气体，惰性气体难以离化成等离子体，从而在第一附加刻蚀步骤中将基本不发生刻蚀；此外，由于第一附加刻蚀步骤采用...
汪新学王伟军
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一种半导体结构的形成方法
本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成硬掩模层和鳍形结构的光刻图形；对硬掩模层和半导体衬底进行图形化，获得具有陡直侧壁形貌的鳍形结构；在鳍形结构的侧壁表面形成保护层；对鳍形结构下方的半导体衬底进行...
王伟军林宏
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一种半导体结构的形成方法
本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成硬掩模层和鳍形结构的光刻图形；对硬掩模层和半导体衬底进行图形化，获得具有陡直侧壁形貌的鳍形结构；在鳍形结构的侧壁表面形成保护层；对鳍形结构下方的半导体衬底进行...
王伟军林宏
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一种空腔结构的形成方法
本发明公开了一种空腔结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面以下形成掺杂区域；在位于所述掺杂区域以内的所述衬底表面上形成释放通道；通过所述释放通道选择性去除下方所述掺杂区域中的所述衬底材料，形成空腔结构。本发明通...
王伟军
一种后道互连工艺中空气隙的形成方法
本发明提供了一种后道互连工艺中空气隙的形成方法，其包括：提供一个具有后道互连膜层结构的半导体衬底；后道互连膜层结构从下向上依次为低K介质层和硬掩膜层；经光刻和刻蚀工艺，在低K介质层和硬掩膜层中刻蚀出通孔结构；经刻蚀，将低...
姚嫦娲胡正军林宏王伟军黄仁东
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大高宽比结构的去胶方法
本发明提供一种大高宽比结构的去胶方法，在去胶工艺前先执行一步预清洗工艺，并在去胶工艺中定时掺入一些含卤素气体来改善去胶效果，能有效避免去胶残留，改善高宽比结构底部的平整度，有利于电学接触性能的提高；进一步地通过交替进行含...
王伟军李铭曾绍海
一种空气隙结构的制造方法
本发明公开了一种空气隙结构的制造方法，包括在衬底上形成常规的金属互连层次，对沟槽结构进行反刻蚀，去除沟槽之间的第一介质层材料，采用湿法清洗工艺去除沟槽表面的聚合物，采用物理轰击或选择性化学方式去除沟槽侧壁处产生的阻挡层材...
王伟军林宏
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