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李铭

作品数：169 被引量：5H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 166篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 17篇电子电信
  • 13篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 34篇刻蚀
  • 26篇淀积
  • 25篇光刻
  • 22篇晶体管
  • 20篇互连
  • 18篇衬底
  • 18篇存储器
  • 16篇金属
  • 14篇介质层
  • 13篇电路
  • 13篇半导体
  • 12篇电极
  • 12篇图形化
  • 12篇硅片
  • 11篇底电极
  • 10篇神经网
  • 10篇神经网络
  • 9篇湿度传感器
  • 9篇芯片
  • 8篇氧化硅

机构

  • 169篇上海集成电路...
  • 2篇上海集成电路...

作者

  • 169篇李铭
  • 55篇曾绍海
  • 44篇左青云
  • 37篇康晓旭
  • 29篇赵宇航
  • 26篇陈寿面
  • 13篇袁伟
  • 10篇钟旻
  • 10篇易春艳
  • 10篇周炜捷
  • 8篇黄仁东
  • 7篇王伟军
  • 4篇卢意飞
  • 4篇林宏
  • 4篇胡正军
  • 4篇胡红梅
  • 3篇储佳
  • 2篇朱骏
  • 2篇郭奥
  • 2篇王全

传媒

  • 1篇复旦学报（自...
  • 1篇集成电路应用

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 10篇2021
  • 17篇2020
  • 19篇2019
  • 36篇2018
  • 18篇2017
  • 11篇2016
  • 17篇2015
  • 8篇2014
  • 10篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
共 169 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法
本发明公开的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离，包括衬底和位于衬底中的深沟槽，其中，所述深沟槽位于所述衬底背面，所述深沟槽中依次形成有填充层Ⅰ和填充层Ⅱ，且所述填充层Ⅰ的消光系数大于填充层Ⅱ；所述衬底中的信号通过所述深沟槽...
曾绍海李铭刘谆骅
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一种用于计算光刻的集成神经网络
本发明公开了一种用于计算光刻的集成神经网络，包括共轭神经网络和前向神经网络，且所述共轭神经网络的输出端连接所述前向神经网络的输入端；所述共轭神经网络用于提取计算光刻的特征矢量，并将提取出来的特征矢量输入所述前向神经网络中...
时雪龙赵宇航陈寿面李铭
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双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法
本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法，先通过氮化硅硬掩模线条形成鱼鳍结构，然后进行鱼鳍线顶端切断的光刻和刻蚀工艺，此时需要切断的深度比较大，使得刻蚀有足够的时间和空间去调整刻蚀菜单以平衡各个层次的刻...
易春艳李铭
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一种检测管道中颗粒的装置及方法
本发明公开了一种检测管道中颗粒的装置及方法，通过在管道侧壁的相对两侧上分别设置第一透明窗口和第二透明窗口，并利用光源通过第一透明窗口向管道中发射光线，当管道的气体中有颗粒通过该区域时，经过颗粒后的透射光线的有效光程发生改...
曾绍海刘谆骅李铭
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一种相变存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种相变存储器单元，包括依次连接的底电极、相变材料稳定层、相变材料层和顶电极；其中，相变材料稳定层具有导电性，通过在一定温度下，使相变材料稳定层与相变材料层之间在界面处发生反应，以避免因相变材料层中的元素发生...
钟旻冯高明李铭
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一种转移石墨烯薄膜的方法
本发明公开了一种转移石墨烯薄膜的方法，包括四个步骤：在初始衬底上制备石墨烯薄膜；目标衬底与制备好的石墨烯薄膜直接贴合对准；通过电化学或金属腐蚀方法将石墨烯薄膜从初始衬底上剥离，粘附到目标衬底上，最后对附着有石墨烯薄膜的目...
左青云康晓旭李铭
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一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法
本发明提出一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法，其包括先在衬底中形成下层互连线，依次淀积阻挡层和介质层，然后在介质层中形成空气隙图形孔，在空气隙图形孔中淀积加热可分解材料，再在介质层表面淀积多孔介质层，接着经光刻刻蚀形...
左青云李铭曾绍海
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一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法
本发明提供一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其包括如下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层；采用刻蚀工艺在衬垫氧化层、氮化硅层和半导体衬底所形成层叠结构中形成浅沟槽；其中，浅沟槽的底部位于...
曾绍海左青云李铭
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一种相变存储器及其制备方法
本发明公开的一种相变存储器，自下而上包括衬底、掺杂层、二极管和相变电阻，其中，所述衬底的上方为掺杂层，所述掺杂层和衬底中包括至少两个浅沟槽隔离；所述二极管位于两个浅沟槽隔离之间，所述二极管包括第一二维晶体膜和第二二维晶体...
钟旻陈寿面李铭
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一种斜孔的形成方法
本发明公开了一种斜孔的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成氧化物层；步骤S02：在所述氧化物层上形成光刻图形，以所述光刻图形为掩模，并采用第一倾斜角度对所述氧化物层进行离子注入氢气...
曾绍海李铭
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