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穆会来

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:河北省教育厅科学技术研究计划国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇抛光液
  • 4篇抛光
  • 2篇抛光表面
  • 2篇螯合剂
  • 2篇晶片
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 2篇
  • 1篇多层布线
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇抛光速率
  • 1篇去除速率
  • 1篇阻挡层
  • 1篇碱性抛光液
  • 1篇碱性条件
  • 1篇合金
  • 1篇AL-MG合...

机构

  • 5篇河北工业大学

作者

  • 5篇穆会来
  • 4篇刘玉岭
  • 2篇王胜利
  • 1篇牛新环
  • 1篇徐文忠
  • 1篇刘金玉
  • 1篇项霞

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析被引量:1
2010年
利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验。针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析。试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min。
项霞刘玉岭刘金玉穆会来
关键词:化学机械抛光碱性抛光液抛光速率正交试验
钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法
本发明涉及一种钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法,其特征是:其清洗方法步骤如下,制备水抛液:按重量份数计(份)取去离子水,边均匀搅拌边加入表面活性剂0.5%-5%、FA/OII型螯合剂0.1-5%,FA/O II型阻蚀剂...
刘玉岭王胜利穆会来
文献传递
多层布线阻挡层去除速率与抛光液优化的研究
穆会来
文献传递
Al-Mg合金化学机械抛光的实验研究被引量:2
2010年
将CMP技术用于Al-Mg合金表面加工中,根据抛光布特性及Al-Mg合金性质来选择抛光布。并从研究Al-Mg合金在碱性条件下化学机械抛光机理出发确定相应的抛光液,最后对Al-Mg合金化学机械抛光中pH值、压力、流量等主要参数进行优化实验。确定当压力为0.05 MPa,pH值为11.20,流量为250 ml/min时,Al-Mg合金表面状态良好。用美国ZYGO公司产的NewView6000非接触光学表面轮廓仪来测量表面粗糙度已达到纳米级别。
徐文忠刘玉岭牛新环穆会来
关键词:化学机械抛光抛光液
钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法
本发明涉及一种钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法,其特征是:其清洗方法步骤如下,制备水抛液:按重量份数计(份)取去离子水,边均匀搅拌边加入表面活性剂0.5%-5%、FA/OII型螯合剂0.1-5%,FA/O II型阻蚀剂...
刘玉岭王胜利穆会来
共1页<1>
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