王胜利
- 作品数：59 被引量：77H指数：5
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺建筑科学理学更多>>
- 一种复合抑制剂在CMP中的应用
- 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KO...
- 王辰伟田源张雪周建伟王胜利刘启旭
- 专用复合型表面活性剂在微电子技术中的应用
- FA/O活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛，尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料。本文主要对表面活性剂的作用机...
- 檀柏梅刘玉岭赵之雯郝子宇周建伟王胜利
- 关键词：硅片表面活性剂微电子技术
- 文献传递
- 铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响
- 采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响。结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工艺参数有着密切的关系。不降低表面质量,在抛光压力为140k...
- 王胜利武晓玲刘玉岭贾小欣
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光去除率
- 文献传递
- 砷化镓基半磁半导体及锰砷纳米粒子制备研究
- 杨瑞霞袁炳辉张富强刘力锋王胜利邓艺文
- 该项目通过不同注入和退火条件的组合，实现了对GaAs:MnAs磁性半导体中MnAs粒子生长过程、尺度、密度和分布的控制，制备出铁磁居里温度在320K左右，室温矫顽力在200-600Oe范围的GaAs:MnAs磁性半导体，...
- 关键词：
- H_2O_2基的碱性阻挡层抛光液对Co CMP的影响被引量：5
- 2016年
- 由于钴(Co)具有优良的化学物理特性成为下一代极大规模集成电路阻挡层材料之一。Co在碱性抛光液中易被氧化进而钝化其表面,导致Co的去除速率降低甚至低于Cu的去除速率。针对上述问题,研究了螯合剂和H2O2对Co去除速率的影响以及不同体积分数表面活性剂对Co粗糙度的影响。优化并确定了当抛光液p H值为9,Si O2磨料质量分数为4%,螯合剂、H2O2以及表面活性剂的体积分数分别为3.0%、0.05%和1.5%时,Co和Cu的去除速率分别为56.7 nm·min-1和38.3 nm·min-1。结果表明,螯合剂和H2O2协同作用提高了Co的去除速率并降低了Co和Cu之间的电位差,有效地控制了二者之间的电偶腐蚀。
- 潘辉王胜利张乐王辰伟高娇娇
- 关键词：H2O2阻挡层去除速率
- 单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响
- 2024年
- 针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分析等表征方式揭示MAPK在化学机械抛光(CMP)中对Co表面质量的改善以及对Co的抑制机制。结果表明:MAPK通过物理吸附和化学吸附方式在Co表面形成的致密钝化膜,可以很好地抑制Co的腐蚀,从而可以在较低的静态腐蚀速率下获取较高的去除速率;加入MAPK可以提高抛光液的润湿性,能够显著改善Co互连抛光后的表面质量,使Co的去除速率大于500 nm/min,静态腐蚀速率小于1 nm/min,表面粗糙度小于0.5 nm。
- 田雨暄王胜利王胜利王辰伟张国林王辰伟冯鹏盛媛慧
- 关键词：钴化学机械抛光抑制剂去除速率
- 锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法
- 本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15‑110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7 Mohs的SiO<Sub>2</Sub>水溶胶磨料10...
- 牛新环檀柏梅王如孙鸣王胜利
- 文献传递
- 碱性抛光液中螯合剂对Cu/Ta电偶腐蚀的影响（英文）被引量：1
- 2017年
- 铜钽(Cu/Ta)界面在化学机械抛光(CMP)中易发生电偶腐蚀。研究了碱性抛光液中螯合剂对铜钽开路电位以及抛光速率的影响。利用静态与动态下的电化学方法,分别测得开路电压和动电位极化曲线,表征了铜钽分别在不同螯合剂体积分数的抛光液中的化学反应速率。CMP结果表明,随着螯合剂体积分数的增加,铜的去除速率不断增加,而钽的去除速率先增加后降低。同时,通过静态腐蚀实验和表面状态表明,随螯合剂体积分数增加,铜表面络合反应加快,而钽表面钝化加重。当螯合剂的体积分数为0.2%时,在动态情况下,铜钽之间腐蚀电位差降到0mV,表明螯合剂可以极大地降低Cu/Ta电偶腐蚀。
- 李月王胜利王辰伟李祥州刘玉岭
- 关键词：钽电偶腐蚀螯合剂
- 一种复合抑制剂在CMP中的应用
- 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KO...
- 王辰伟田源张雪周建伟王胜利刘启旭
- 材料表面化学机械超精密加工纳米浆料与技术
- 2007年
- 对材料表面加工精度要求最高的超大规模集成电路(ULSI)多层铜布线全局平整化的化学机械超精密加工(CMP)机理与浆料及关键技术等急待解决的问题进行研究,获得了多项突破,应用后取得了显著效果,指出该项技术将有广阔的发展前景。
- 刘玉岭檀柏梅李薇薇周建伟王胜利张西慧
- 关键词：CMP浆料
