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刘志平

作品数：10 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇氮化铝
  • 5篇封装
  • 4篇氮化
  • 4篇陶瓷
  • 3篇氮化铝陶瓷
  • 3篇电路
  • 3篇陶瓷基
  • 3篇陶瓷基板
  • 3篇基板
  • 2篇陶瓷封装
  • 2篇集成电路
  • 2篇高性能
  • 1篇氮化铝陶瓷基...
  • 1篇导热性
  • 1篇电路结构
  • 1篇电性能
  • 1篇砷化镓
  • 1篇陶瓷基片
  • 1篇陶瓷外壳
  • 1篇热膨胀

机构

  • 10篇中国电子科技...

作者

  • 10篇刘志平
  • 3篇高尚通
  • 3篇王文琴
  • 3篇张文娟
  • 1篇潘宏菽
  • 1篇商庆杰
  • 1篇付花亮
  • 1篇陈昊
  • 1篇周世平
  • 1篇赵平
  • 1篇孟庆林
  • 1篇郑宏宇
  • 1篇霍玉柱
  • 1篇杨霏
  • 1篇齐国虎
  • 1篇刘健

传媒

  • 2篇半导体情报
  • 1篇电子与封装
  • 1篇2010(第...

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 2篇1996
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化铝铜金属化陶瓷基板
本实用新型公开了一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，在氮化铝陶瓷基板上涂覆有铜金属化层，在氮化铝陶瓷基板和铜金属化层之间设有钨或钼或钨钼金属化层。该氮化铝铜金属化陶瓷基板结合强度高、导热导电性能好、铜金属化层厚度易于控制，从而提...
刘志平郝宏坤扬哲李晓蒙张文娟
文献传递
氮化铝陶瓷封装件
本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷封装件，用于光开关器件中起封装作用的氮化铝陶瓷件，在管状的氮化铝陶瓷基体内外壁上设有金属化图形层。该氮化铝陶瓷封装件具有导热性能好、机械强度高、焊接后不易开裂且可靠性好的优点。
刘志平郝宏坤扬哲李晓蒙张文娟
文献传递
氮化铝陶瓷与金属的焊接结构
本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷与金属的焊接结构，属于陶瓷材料与金属的焊接领域。其包括氮化铝陶瓷基板和焊接的金属层，在氮化铝陶瓷基板与金属层之间设有钨、钼或者钨钼合金的缓冲层。本实用新型引入了和氮化铝陶瓷热膨胀系数相近的钨...
刘志平郝宏坤扬哲李晓蒙张文娟
文献传递
小体积、低重量、高性能的SiC微波功率器件
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益...
陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平
飞速发展的封装技术
刘志平
新型莫来石瓷在高密度封装中的应用
1996年
描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速、超高速集成电路使用要求的高性能封装。
刘志平高尚通王文琴
关键词：封装电性能半导体器件
高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究被引量：3
2007年
文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。
刘健刘志平
关键词：氮化铝陶瓷基片
VLSI及VHSIC陶瓷外壳
王文琴高尚通付花亮赵平郑宏宇刘志平孟庆林赵纪平等
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果内容简介：大规模集成电路高密度封装外壳自“七五”科技攻关首次开发了44-132管脚外壳产品之后，“八五”期间，该专题又开发了132-209管脚五种外壳产品，它们是：ICC...
关键词：
关键词：陶瓷封装陶瓷外壳大规模集成电路超高速集成电路VLSIVHSIC
氮化铝覆铝基板压力铸铝工艺用模具
本实用新型公开了一种氮化铝覆铝基板压力铸铝工艺用模具，涉及陶瓷基板技术领域；包括模体和压头，所述模体包括左半模和与左半模对称的右半模；所述左半模包括底板和垂直于底板一侧的模壁，所述左半模和右半模的模壁对应连接后形成上部开...
赵东亮刘志平王东生郝宏坤李亚茹
文献传递
超高速GaAs集成电路封装材料、工艺和结构的研究被引量：5
1996年
着重描述了新型莫来石材料的性能、工艺方面的进展情况，探讨了新的封装结构对封装性能的影响，最后得到的封装外壳可很好地满足ＧａＡｓ超高速集成电路的封装要求。
刘志平高尚通王文琴周世平
关键词：集成电路封装砷化镓
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