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Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：8: 2004年; 利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,用Al、N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜 ,载流子浓度为 (10 14 ～ 10 15)cm-3 ,电阻率为 (1 5 4～3 4 3)× 10 3 Ω·cm ,迁移率为 (1 16～ 4 6 1)cm2 /V·s。由Al、N共掺杂和仅掺N的两种情况下ZnO薄膜的N1s的XPS图谱可以推断出 ,N的掺入可能是以Al-N键的形式存在 ,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入。; 钱庆叶志镇袁国栋朱丽萍赵炳辉; 关键词：ZNO薄膜共掺杂 SI衬底载流子浓度直流反应磁控溅射衬底温度

Al、N共掺杂制备p—ZnO薄膜及性能研究: ZnO是一种新型的Ⅱ- Ⅳ族宽禁带化合物半导体材料.由于ZnO具有很高的激子束缚能(室温下为60meV),激子增益也可达到300cm<'-1>,是一种理想的短波长发光器件材料,在LEDs、LDs等领域有巨大的应用潜力.通...; 钱庆; 关键词：氧化锌半导体材料晶体结构电学性能共掺杂; 文献传递

Au/n-ZnO肖特基势垒特性的退火行为研究: 2004年; 报道了Au/n ZnO形成的肖特基势垒经不同温度退火后其特性的变化.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试对ZnO外延片的晶体质量和电学性能进行测试.采用集成电路标准工艺在ZnO外延层上制备了Si3N4隔离层及Au电极,并对该结构进行不同温度下的退火实验,分别测量其I V特性.结果表明ZnO外延层具有高度C轴取向,表面光洁,平整,外延层与衬底之间有明显的过渡区.退火前后的样品在室温下的I V测试结果表明,Au/n ZnO具有明显的整流特性,其中673K,1min退火所得的反向漏电流仅为-0.017μA(-5V).; 袁国栋叶志镇朱丽萍钱庆曾昱嘉; 关键词：ZNO薄膜肖特基势垒退火 I-V特性

一种ZnO基透明薄膜晶体管: 本实用新型涉及一种ZnO基薄膜晶体管。玻璃衬底上沉积一层约50－150nm厚的n－ZnO薄膜作为该薄膜晶体管的沟道，ATO薄膜作为栅绝缘层，源极、栅极、漏极均采用ITO薄膜。这种透明的薄膜晶体管在可见光区域的透光率可达到...; 叶志镇袁国栋朱丽萍钱庆; 文献传递

直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性被引量：17: 2004年; 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ～ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15～ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5～ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV .而在 4 5 0℃生长的p; 袁国栋叶志镇曾昱嘉吕建国钱庆黄靖云赵炳辉朱丽萍; 关键词：直流反应磁控溅射

一种ZnO基透明薄膜晶体管及其制备方法: 本发明涉及一种ZnO基薄膜晶体管及其制备方法。玻璃衬底上沉积一层50－150nm厚的n－ZnO薄膜作为该薄膜晶体管的沟道，ATO薄膜作为栅绝缘层，源极、栅极、漏极均采用ITO薄膜。这种透明的薄膜晶体管在可见光区域的透光率...; 叶志镇袁国栋朱丽萍钱庆; 文献传递

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钱庆