曾昱嘉
- 作品数：40 被引量：70H指数：6
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- ZnO基量子点发光二极管
- 本实用新型公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n－ZnO薄膜层、n－Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O薄膜层、ZnO量子点层、p－Zn<Sub>1－x</...
- 叶志镇曾昱嘉
- 文献传递
- 一种Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
- 本发明公开的Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法，以高纯N<Sub>2</Sub>O为生长气氛，在反应室中电离，N<Sub>2</Sub>O为氮掺杂源，在10～20Pa的压强下，以ZnO－Li...
- 吕建国叶志镇张银珠曾昱嘉朱丽萍赵炳辉
- 文献传递
- ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光被引量：3
- 2007年
- 本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。
- 叶志镇曾昱嘉卢洋藩何海平
- 关键词：ZNOP型掺杂发光二极管
- 生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
- 2007年
- 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
- 卢洋藩叶志镇曾昱嘉徐伟中朱丽萍赵炳辉
- 关键词：ZNOP型掺杂金属有机化学气相沉积射频等离子体
- MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：15
- 2005年
- 在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
- 叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭
- 关键词：ZNOLEDP型掺杂金属有机化学气相沉积
- Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
- 本发明公开的Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，将衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置反应室中，反应室抽真空，以锌锂合金为靶材，以O<Sub>2</Sub>和Ar作为溅射气氛，在3～5Pa压强下，于40...
- 叶志镇曾昱嘉吕建国朱丽萍赵炳辉
- 文献传递
- 氧化锌基材料的能带结构与光电性能的调控机理及应用
- 叶志镇朱丽萍吕建国何海平金一政袁国栋杨叶锋黄靖云曾昱嘉汪雷潘新花卢洋藩赵炳辉
- 宽带隙半导体氧化锌(ZnO)可发紫蓝光，透明导电；物丰价廉、环境友好，具有可持续发展优势，在白光照明与显示产业均可发挥重要作用，潜力巨大。该项目围绕能带结构和光电性能调控机理展开深入系统研究，这是实现ZnO光电应用亟需解...
- 关键词：
- 关键词：纳米晶材料半导体材料
- ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长
- 氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，具有直接带隙能带结构，室温禁带宽度为3.37eV，对应于近紫外光波段。另外，ZnO还具有60 meV的高激子束缚能，其激子在室温下可以稳定存在，易于实现室温或更高温度下...
- 曾昱嘉
- 关键词：氧化锌薄膜半导体材料
- 衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响被引量：10
- 2005年
- 目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
- 曾昱嘉叶志镇吕建国李丹颖朱丽萍赵炳辉
- 关键词：磁控溅射共掺
- Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜被引量：8
- 2006年
- 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm^2/(V·s),空穴浓度为4．92×10^(17)/cm^3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率．
- 卢洋藩叶志镇曾昱嘉陈兰兰朱丽萍赵炳辉
- 关键词：磁控溅射共掺
