袁国栋
- 作品数：19 被引量：55H指数：5
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- Al、N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性研究
- 本文报道了利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂技术生长P型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α-Al
- 袁国栋叶志镇黄靖云曾昱嘉吕建国汪雷赵炳辉
- 文献传递
- ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法被引量：6
- 2004年
- 论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能。
- 曾昱嘉叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉朱丽萍
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌载流子迁移率半导体
- Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：8
- 2004年
- 利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,用Al、N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜 ,载流子浓度为 (10 14 ～ 10 15)cm-3 ,电阻率为 (1 5 4～3 4 3)× 10 3 Ω·cm ,迁移率为 (1 16～ 4 6 1)cm2 /V·s。由Al、N共掺杂和仅掺N的两种情况下ZnO薄膜的N1s的XPS图谱可以推断出 ,N的掺入可能是以Al-N键的形式存在 ,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入。
- 钱庆叶志镇袁国栋朱丽萍赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜共掺杂SI衬底载流子浓度直流反应磁控溅射衬底温度
- ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)被引量：5
- 2004年
- 采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。
- 叶志镇李蓓黄靖云袁国栋赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜
- 一种肖特基二极管的原型器件
- 本实用新型的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n－ZnO膜外延层、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层和肖特基金属电极层而构成。用该原型器件制作的肖特基二极管，其反向特性较...
- 叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉
- 文献传递
- 氧化锌基材料的能带结构与光电性能的调控机理及应用
- 叶志镇朱丽萍吕建国何海平金一政袁国栋杨叶锋黄靖云曾昱嘉汪雷潘新花卢洋藩赵炳辉
- 宽带隙半导体氧化锌(ZnO)可发紫蓝光，透明导电；物丰价廉、环境友好，具有可持续发展优势，在白光照明与显示产业均可发挥重要作用，潜力巨大。该项目围绕能带结构和光电性能调控机理展开深入系统研究，这是实现ZnO光电应用亟需解...
- 关键词：
- 关键词：纳米晶材料半导体材料
- Al-N共掺杂实现p型ZnO的机理及其相关器件基础研究
- 近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙/(室温下3.37eV/),属于六方纤锌矿结构。由于ZnO具有较高的激子结合能/(室温下为60meV/),远...
- 袁国栋
- 关键词：P型ZNO直流反应磁控溅射肖特基二极管
- 文献传递
- 一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法
- 本发明的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n－ZnO膜外延层、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层和肖特基金属电极层而构成。其制备方法依次包括清洗衬底；真空镀欧姆接触电极；...
- 叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉
- 文献传递
- ZnO基纳米电子材料研究进展被引量：15
- 2005年
- 纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛应用。ZnO是一种同时具有半导体和压电双重特性的材料。运用不同的工艺,目前已生长出纳米线(棒)、纳米带、纳米环、四角形纳米结构、纳米笼、纳米螺旋等多种特殊形态的纳米ZnO。由这些许多独特的形态,可以看出纳米ZnO是纳米材料家族中可以生长出的结构最多样的成员之一。这些纳米结构在光电、传导、传感以及生化等不同领域有很多潜在的新颖的应用前景。
- 胡幸鸣袁国栋
- 关键词：纳米ZNO电子材料
- 一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法
- 本发明的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n-ZnO膜外延层、刻蚀氮化硅形成的Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>接触窗口层和肖特基金属电极层而构成。其制备方法依次包括清洗衬...
- 叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉
- 文献传递
