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许颐璐

作品数：4 被引量：3H指数：2
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇MBE
  • 1篇等离子体发生...
  • 1篇电场耦合
  • 1篇真空系统
  • 1篇射频激励
  • 1篇石英
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇高真空
  • 1篇高真空系统
  • 1篇工作气体
  • 1篇发光
  • 1篇发光器件
  • 1篇ZNCL2
  • 1篇掺杂

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇何力
  • 4篇王善忠
  • 4篇姬荣斌
  • 4篇许颐璐
  • 4篇巫艳
  • 3篇郭世平
  • 2篇俞锦陛
  • 2篇杨建荣
  • 1篇乔怡敏
  • 1篇于梅芳

传媒

  • 1篇电子显微学报
  • 1篇光电子技术

年份

  • 2篇1998
  • 2篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究
本文报道 ZnSe 基Ⅱ-Ⅵ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、p 型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的 ZnSe 材料的生长。实验证明国产 MBE 设备能够自洽生长优质 ZnSe 单晶薄膜;用自制的等离子体活性氮...
王善忠姬荣斌巫艳许颐璐郭世平何力
关键词：分子束外延
文献传递
等离子体活性氮源的研制被引量：2
1998年
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该氮源的国产FW－Ⅲ型分子束外延设备，成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明，薄膜中氮浓度高达～2．3×1020cm－3；C-V测量表明，净空穴浓度［Na］－［Nd］为～5×1017cm-3，已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求（～4．0×1017cm-3）。
王善忠许颐璐姬荣斌巫艳俞锦陛乔怡敏于梅芳杨建荣何力
关键词：射频激励等离子体发光器件
Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究被引量：2
1997年
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂，获得了ｐＺｎＳｅ单晶薄膜，经ＣＶ测量发现，［Ｎａ］［Ｎｄ］高达～５×１０１７·ｃｍ－３；用国产粉末状ＺｎＣｌ２源作施主掺杂剂，获得了ｎＺｎＳｅ单晶薄膜，Ｈａｌ测量表明［ｎ］高达～２３×１０１９·ｃｍ－３。生长速度均控制在～０５μｍ／ｈ。
王善忠姬荣斌巫艳许颐璐郭世平何力
关键词：分子束外延硫化锌MBE
真空系统用石英活性气体发生装置
本实用新型提供一种新型的适用于超高真空用的用石英材料制作的气态活性原子、分子发生装置。它是将经过减压后工作气体通过真空漏阀输入到石英反应腔。在反应腔,气体与射频电场耦合产生的活性原子的分子的复合体通过泻流孔泄放至超高真空...
王善忠许颐璐杨建荣俞锦陛姬荣斌巫艳郭世平何力
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