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ZnSe基蓝绿色半导体激光器研究进展被引量：9: 1999年; 在全彩色显示、高密度激光存储、高速打印、高分辨图像处理和战地生化检测等强力推动下，ZnSe基蓝绿色半导体激光器的研究近年来取得了里程碑式的研究结果．为了明确该领域的研究方向，以便分析在实用化进程中必须解决的主要问题，本文对Znse基蓝绿色半导体激光器及其相关材料的研究进展进行了较全面的评述．作为比较，对GaN基蓝绿色半导体激光器的发展情况和尚待解决的问题也进行了简要评述．; 王善忠谢绳武庞乾骏郑杭夏宇兴; 关键词：激光二极管半导体激光器激光器

Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究被引量：1: 1998年; 本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器，电学限制层对发光活性层中载流子的约束能力（即能带的offset值）是最重要的基本参数之一。由于对Be基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（LCAO）理论计算了所有Ⅱ-Ⅵ族化合物价带顶的相对位置，结合带隙的实验值，给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带底的相对位置。简要分析了二元化合物用于BeTe中载流于约束的可能性。根据虚晶近似，用插值方法计算了与GaAs匹配的Be基四元合金相对与BeTe价带、导带的offset。对各四元合金的特征进行了分析对比，讨论了Be基四元合金用作我流子约束层的可能性。为制作Be基半导体蓝绿激光器提供了能带剪裁的理论依据。; 王善忠何力沈学础; 关键词：蓝绿激光器半导体激光器

掺氮ZnSe外延层的光致发光研究被引量：2: 1999年; 报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度增加，由于激子在受主束缚激子态和施主束缚激子态之间转移。; 朱作明刘南竹李国华韩和相汪兆平王善忠何力姬荣斌巫艳; 关键词：光致发光束缚激子掺氮硒化锌外延层

p^+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究被引量：1: 2000年; 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .; 王善忠谢绳武庞乾骏姬荣斌巫艳何力; 关键词：单晶薄膜硒化锌

Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数被引量：1: 1998年; 分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用，Ｓｃｒ取０．３０．用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数．用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数，直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系．本文同时修正了Ａ１－ｘ－ｙＢｘＣｙＤ型四元合金带隙的计算公式．; 王善忠何力沈学础; 关键词：四元合金铍硒化锌

等离子体活性氮源的研制被引量：2: 1998年; ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该氮源的国产FW－Ⅲ型分子束外延设备，成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明，薄膜中氮浓度高达～2．3×1020cm－3；C-V测量表明，净空穴浓度［Na］－［Nd］为～5×1017cm-3，已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求（～4．0×1017cm-3）。; 王善忠许颐璐姬荣斌巫艳俞锦陛乔怡敏于梅芳杨建荣何力; 关键词：射频激励等离子体发光器件

Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用: 1998年; ＺｎＳｅ基激光器的退化缺陷（特别是层错缺陷）严重地影响了长寿命器件的获得．人们开始将注意力投向离子性较低的Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ的加入能有效地改善器件的性能．由于对Ｂｅ基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（ＬＣＡＯ）方法计算了Ｂｅ－Ⅵ化合物及其他Ⅱ－Ⅵ族化合物价带的ｏｆｓｅｔ．结合带隙的实验值，给出了Ⅱ－Ⅵ族化合物导带的ｏｆｓｅｔ．粗略分析了Ｂｅ基二元化合物用于ＺｎＳｅ载流子限制的可能性．根据虚晶近似，用插值方法计算了Ｂｅ基四元合金相对于ＺｎＳｅ价带、导带的ｏｆｓｅｔ．讨论了Ｂｅ基四元合金用作活性层和载流子限制层的可能性．; 王善忠何力沈学础; 关键词：化合物半导体四元合金蓝绿激光器

Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究被引量：2: 1997年; 本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂，获得了ｐＺｎＳｅ单晶薄膜，经ＣＶ测量发现，［Ｎａ］［Ｎｄ］高达～５×１０１７·ｃｍ－３；用国产粉末状ＺｎＣｌ２源作施主掺杂剂，获得了ｎＺｎＳｅ单晶薄膜，Ｈａｌ测量表明［ｎ］高达～２３×１０１９·ｃｍ－３。生长速度均控制在～０５μｍ／ｈ。; 王善忠姬荣斌巫艳许颐璐郭世平何力; 关键词：分子束外延硫化锌 MBE

Ⅱ-Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量被引量：1: 1997年; 测量了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ、ＺｎＳｅ等的远红外反射光谱，拟合得到样品的载流子浓度、迁移率。; 李标褚君浩叶红娟蒋伟汤定元王善忠姬荣斌何力; 关键词：半导体电学参数

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王善忠