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王逸群

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇电阻
  • 2篇体硅
  • 2篇突变
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线结构
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇基因
  • 2篇基因突变
  • 2篇寄生电阻
  • 2篇家系
  • 2篇氨基
  • 2篇超大规模集成
  • 2篇超大规模集成...
  • 2篇衬底
  • 2篇大规模集成电...

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇王逸群
  • 3篇王润声
  • 3篇黄如
  • 3篇田豫
  • 2篇王阳元
  • 1篇周发龙
  • 1篇张兴

传媒

  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外...
田豫黄如王逸群王润声王阳元
文献传递
适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究被引量：1
2008年
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
黄如田豫周发龙王润声王逸群张兴
关键词：纳米CMOS器件
遗传性铁粒幼细胞贫血家系一个新的ALAS2基因突变及其表达载体的构建
王逸群
关键词：缺铁性贫血遗传病基因突变
一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外...
田豫黄如王逸群王润声王阳元
文献传递
遗传性铁粒幼细胞贫血家系一个新的ALAS2基因突变
王逸群
关键词：基因转染
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