田豫
- 作品数：14 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法
- 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源...
- 田豫黄如卜伟海周发龙
- 文献传递
- 适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究被引量：1
- 2008年
- 随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
- 黄如田豫周发龙王润声王逸群张兴
- 关键词：纳米CMOS器件
- 适用于硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离方法
- 本发明提供了一种硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离工艺，属于CMOS超大规模集成电路制造技术领域。其步骤包括：第一次刻蚀出有源区硅台之后，用氮化硅保护有源区硅台的表面和侧壁，然后再局部氧化场区完成隔离工艺，通过在后续的制备...
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- 文献传递
- 新型SON器件的自加热效应被引量：1
- 2005年
- 分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导.
- 吴大可田豫卜伟海黄如
- 关键词：自加热效应
- 场效应晶体管的制备方法
- 本发明提供一种准SOI场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法首先采用常规的工艺方法，实现浅槽隔离，淀积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料，形成栅区，接着制备栅侧墙保护栅区；第二步刻蚀源漏...
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- 文献传递
- 一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
- 本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外...
- 田豫黄如王逸群王润声王阳元
- 文献传递
- Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化
- 2005年
- 针对沟道长度为 5 0nm的UTBSOI器件进行了交流模拟工作 ,利用器件主要的性能参数 ,详细分析了UTB结构的交流特性 .通过分析UTBSOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响 ,对器件结构进行了优化 .最终针对UTBSOIMOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法 ,从而实现了结构参数的优化选取 。
- 田豫黄如
- 关键词：MOSFET
- 超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析被引量：1
- 2003年
- 提出了一种新的器件结构——非对称 Halo L DD低功耗器件 ,该器件可以很好地抑制短沟效应 ,尤其可以很好地改善 DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等 ,是低功耗高集成度电路的优选结构之一 .分析了非对称 HaloL DD器件的主要特性 ,并将其与常规结构、非对称 L DD结构、非对称 Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析 .
- 田豫黄如
- 关键词：超深亚微米低功耗
- 一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法
- 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源...
- 田豫黄如卜伟海周发龙
- 文献传递
- 一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多...
- 周发龙吴大可黄如诸葛菁田豫张兴
- 文献传递
