潘美军
- 作品数：6 被引量：15H指数：3
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- 多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性被引量：6
- 2004年
- 用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试。结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,暗电流为25pA/mm2)和较小的电容(约1pF),可用于实际应用。
- 雷平水史伟民徐菁葛艳辉邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- HgI_2探测器中晶体表面处理的研究被引量：3
- 2003年
- 该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%～20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.
- 李莹史伟民潘美军郭燕明
- 关键词：核探测器表面处理漏电流电学性质半导体探测器化学腐蚀
- 多晶碘化汞厚膜的研制及其性能研究
- 碘化汞具有禁带宽度大、原子序数高、体暗电阻率大等特点,因此多晶碘化汞厚膜被认为是X射线数字照相法直接转换器、医学成像中荧光检查法等的理想半导体材料.本论文在制备出高纯碘化汞多晶粉末的基础上,进行了多晶碘化汞厚膜的制备、表...
- 潘美军
- 关键词：多晶厚膜物理气相沉积表面处理电极接触
- 文献传递
- 多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究被引量：6
- 2004年
- 采用热壁物理气相沉积法(hot wallPVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀。并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响。通过对其I V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω·cm)和较好的线性关系。
- 潘美军史伟民雷平水李莹郭燕明
- 关键词：物理气相沉积金相显微镜XRD
- PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
- 2004年
- 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
- 雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
- 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电...
- 雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- 文献传递
