邱永华
- 作品数：13 被引量：34H指数：4
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法
- 本发明涉及一种能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法，属太阳能吸收涂层材料制备技术领域。本发明具有以下制备过程和步骤：(1)取氯化亚锡及硫代乙酰胺分别用去离子水配制成1mol/L的溶液，将该两种溶液以5∶4的体积比相...
- 魏光普史伟民葛艳辉郭浩进邱永华林飞燕
- 文献传递
- 硫化锡多晶薄膜太阳电池研究进展被引量：6
- 2006年
- 由于硫化锡具有与硅相近的禁带宽度,安全环保,吸收系数也很高,因此非常适合做太阳能电池的吸收层,近年来已成为国内外专家的研究热点。本文围绕硫化锡薄膜材料的生长制备、性质表征以及基于硫化锡的薄膜太阳能电池的研究进展进行了较为详细的阐述,并对硫化锡太阳能电池的研究前景进行了探讨。
- 邱永华史伟民魏光谱雷平水葛艳辉
- 关键词：太阳电池
- 多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性被引量：6
- 2004年
- 用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试。结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,暗电流为25pA/mm2)和较小的电容(约1pF),可用于实际应用。
- 雷平水史伟民徐菁葛艳辉邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- 化学沉积法制备SnS薄膜及其性能研究
- 硫化锡(SnS)的吸收系数很高,禁带宽度为1.5eV,是一种很有发展前景的太阳能应用材料。本文中,我们用化学水浴法制备了SnS薄膜,测量了SnS薄膜的结构、光学和电学性能。实验表明,制备的SnS薄膜是具有斜方品系结构的多...
- 徐菁魏光普史伟民雷平水葛艳辉邱永华
- 关键词：太阳能电池
- 真空蒸发法制备硫化锡薄膜及其太阳能电池的初步研究
- 太阳能是地球上取之不尽，用之不竭，洁净环保的新能源。人类利用光伏效应(太阳能电池)可以使太阳能转化为电能，从而使太阳能的应用更直接和便利。本论文中，采用真空蒸发法制备了作为太阳电池吸收层的新型材料—硫化锡薄膜。为了改善薄...
- 邱永华
- 关键词：薄膜太阳能电池掺杂
- 文献传递
- 能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法
- 本发明涉及一种能吸收太阳能的纳米硫化锡涂层材料的制备方法，属太阳能吸收涂层材料制备技术领域。本发明具有以下制备过程和步骤：将市售的氯化亚锡用去离子水配制成1mol/L的溶液A；再取硫代乙酰胺用去离子水配成1mol/L的溶...
- 魏光普史伟民葛艳辉郭浩进邱永华林飞燕
- 文献传递
- 电沉积法制备CdS薄膜及其性能研究被引量：4
- 2006年
- 采用电沉积法制备了CdS薄膜。分别用XRD及SEM分析了薄膜的结构和表面形貌。研究了不同温度和不同沉积电压对薄膜表面硫与镉的化学成分比的影响。最佳的沉积电压为2．5～3V之间。制作了ITO／n-CdS／p-SnS／Ag结构的太阳能电池，在100mW／cm^2的光强下其开路电压0．2V，短路电流13．2mA／cm^2，填充因子0.31，转换效率0．81％。
- 葛艳辉史伟民魏光普徐菁邱永华
- 关键词：CDS电沉积太阳能电池
- 掺杂SnS薄膜的制备及电学性能被引量：2
- 2007年
- 硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值。本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb_2O_3、Se、Te、In、In_2O_3、Se和In_2O_3的混合物。对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(Ⅰ—Ⅴ)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(G_(photo)/G_(dark))。结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,G_(photo)/G_(dark)增加约一倍。同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%。
- 郭余英史伟民魏光普邱永华夏义本
- 关键词：太阳电池掺杂电阻率
- PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
- 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电...
- 雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- 文献传递
- PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
- 2004年
- 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
- 雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
