郭燕明
- 作品数：8 被引量：19H指数：3
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- 生长速度对N型和P型Bi-Te热电材料性能的影响被引量：2
- 1999年
- 本文报导了采用移动加热器法生长 Ｎ 型和 Ｐ型 Ｂｉ Ｔｅ 热电材料时不同生长速度对其性能影响的研究结果．结果表明较低的生长速度导致 Ｎ 型和 Ｐ型合金较完整的晶体结构和较高的优值系数．然而生长速度对各自的热电参数的影响是不同的．对 Ｎ 型合金来说，慢的生长速度导致塞贝克系数增大，热导率和电阻率减小．对 Ｐ型合金来说，塞贝克系数和热导率（较小程度上）随生长速度的变化类似 Ｎ 型合金的变化，但电阻率随生长速度减小而增大，这种现象与 Ｐ型合金中富 Ｔｅ 的第二相存在有关．在研究中也发现，当生长速度较慢且添加的过量 Ｔｅ 较少时，在整个
- 顾永明郭燕明
- 关键词：N型P型热电材料晶体结构
- HgI_2探测器中晶体表面处理的研究被引量：3
- 2003年
- 该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%～20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.
- 李莹史伟民潘美军郭燕明
- 关键词：核探测器表面处理漏电流电学性质半导体探测器化学腐蚀
- 汞阳极氧化的电化学
- 1995年
- 粗汞含有众多杂质金属，杂质多数以ＨｇｘＭｙ、ＨｇＭ化合物、合金状态溶于汞中，从而影响其在电解过程中的分离效果．利用杂质与汞形成的合金的电化学特点和易氧化的特性，在特殊的电解条件下，杂质汞合金阳极氧化成固态氧化物微粒与汞分离．实践表明汞阳极氧化法具有效果好、节省能源、减少废液对环境的污染等优点．以其代替汞阳极电解法，作为高纯汞、超纯汞制备过程中的前级提纯方法。
- 郭燕明顾永明钱永彪朱永飞王林军
- 关键词：阳极氧化汞电化学金属材料精炼
- 多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究被引量：6
- 2004年
- 采用热壁物理气相沉积法(hot wallPVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀。并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响。通过对其I V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω·cm)和较好的线性关系。
- 潘美军史伟民雷平水李莹郭燕明
- 关键词：物理气相沉积金相显微镜XRD
- PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
- 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电...
- 雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- 文献传递
- 高纯元素合成碘化汞及其单晶的生长被引量：5
- 2001年
- 研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘 (I2 ) ;采用“三温区汽相合成法”将高纯汞 (Hg)与高纯碘合成碘化汞(Hg I2 ) ;α- Hg I2 单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长 .分析讨论了温度场对晶体生长的影响 .实验结果表明 :汞与碘合成时对碘源区、汞源区、碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度 ,在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量 5 %左右 ,且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保 Hg I2 的纯度及汞与碘的最佳化学比 .长晶时源区温度在 12 5～ 12 6℃ ,长晶区温度在 111～ 112℃ ,源区与长晶区的温度梯度为 1℃ / cm 。
- 刘建华史伟民钱永彪李莹郭燕明桑文斌
- 关键词：湿度场温度梯度
- PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
- 2004年
- 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
- 雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
- 关键词：多晶物理气相沉积探测器
- 碲真空蒸馏提纯效果的探讨被引量：6
- 1998年
- 真空蒸馏是高纯碲制备过程中重要的中间提纯方法，其提纯效果的优劣直接影响到产品Ｔｅ的纯度．本文分析了真空蒸馏过程中Ｔｅ和杂质的蒸汽压及蒸发速度差异而使两者分离的理论基础，并与实验结果相比较，存在提纯效果偏低状况．因此探讨碲真空蒸馏过程技术条件参数及杂质行为、状态对碲与杂质分离效果影响。
- 郭燕明顾永明钱永彪王林军
- 关键词：碲真空蒸馏提纯半导体
