胡艳
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：厦门大学化学化工学院化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺化学工程更多>>
- 光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素被引量：4
- 2013年
- 采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
- 胡艳方秋艳周剑章詹东平时康田中群田昭武
- 关键词：荧光检测TIO2纳米管阵列
- 光诱导约束刻蚀化学平坦化体系中二氧化钛纳米光催化剂层上铜的沉积
- 约束刻蚀剂层技术(Confined Etchant Layer Technique,简称CELT),由田昭武院士于1992年英国皇家学会主办的FARADAY讨论会上提出,用于三维超微(纳米)图形的复制加工.在这个基础上我...
- 黄雅钰方秋艳胡艳周剑章
- 光诱导约束刻蚀体系中外加电位对羟基自由基生成的影响
- 羟基自由基(·OH)是一种具有强氧化性的自由基,能够无选择性地氧化多种有机物并且反应速率很快(高达109 M-1s-1),常用于环境工程中降解污染物.1近来·OH还被发现可用于材料的抛光整平,主要是通过Fenton或类F...
- 胡艳周剑章方秋艳詹东平时康田中群田昭武
