方秋艳
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：厦门大学化学化工学院化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素被引量：4
- 2013年
- 采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
- 胡艳方秋艳周剑章詹东平时康田中群田昭武
- 关键词：荧光检测TIO2纳米管阵列
- 电沉积CdS纳米粒子与细胞色素c间的光诱导电子传递
- 韩楠楠方秋艳王慧周剑章林仲华
- 基于二氧化钛纳米管阵列的光诱导约束刻蚀体系初探
- 基于二氧化钛纳米管阵列的光诱导约束刻蚀体系初探 田昭武院士提出的约束刻蚀剂层技术(CELT)已经在半导体材料，金属材料及合金上成功实现了微纳尺度三维复杂结构加工。从原理上来说，由于CELT具有有效控制刻蚀程度及对距离敏...
- 方秋艳
- 关键词：羟基自由基二氧化钛纳米管阵列
- 文献传递
- 光诱导约束刻蚀体系中的TiO_2纳米管阵列光电极上Cu的沉积及抑制
- 2017年
- 光诱导约束刻蚀可作为一种无应力的化学平坦化方法用于Cu的抛光。我们发现在光诱导约束刻蚀工件Cu的过程中,工具表面的TiO_2纳米管上可能出现Cu沉积。通过扫描电子显微镜及其能谱,X射线光电子能谱等方法分析其沉积形貌和成分组成,探究在工具-工件之间的微纳尺度液层中Cu光催化还原沉积的机制,并在模拟液中研究Cu沉积对刻蚀体系的影响。探究引入搅拌、加入络合剂对TiO_2纳米管表面Cu的沉积的抑制,并考察抑制措施对于工件Cu刻蚀的影响。结果表明Cu沉积会增强TiO_2纳米管光电极的光催化性能,但随着沉积量的增加,增强机制会发生变化;在尝试抑制Cu沉积时也发现改善传质以抑制Cu沉积的同时也会带来工件Cu的刻蚀增强;采用添加络合剂结合改善传质的方法有望在抑制Cu沉积的同时提高平坦化效果。所以抑制方法和条件的选择需兼顾对工具-工件之间微纳液层中的多个化学和传质过程的影响。这些研究对于进一步优化光诱导约束刻蚀体系及其在化学平坦化中的应用有重要的指导意义。
- 黄雅钰方秋艳周剑章詹东平时康田中群
- 关键词：TIO2纳米管阵列羟基自由基
- 光诱导约束刻蚀化学平坦化体系中二氧化钛纳米光催化剂层上铜的沉积
- 约束刻蚀剂层技术(Confined Etchant Layer Technique,简称CELT),由田昭武院士于1992年英国皇家学会主办的FARADAY讨论会上提出,用于三维超微(纳米)图形的复制加工.在这个基础上我...
- 黄雅钰方秋艳胡艳周剑章
- 光诱导约束刻蚀体系中外加电位对羟基自由基生成的影响
- 羟基自由基(·OH)是一种具有强氧化性的自由基,能够无选择性地氧化多种有机物并且反应速率很快(高达109 M-1s-1),常用于环境工程中降解污染物.1近来·OH还被发现可用于材料的抛光整平,主要是通过Fenton或类F...
- 胡艳周剑章方秋艳詹东平时康田中群田昭武
