您的位置： 专家智库 > >

万群

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇晶体
  • 2篇熔体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇硅
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇直拉法
  • 1篇熔体晶体生长
  • 1篇熔体流动
  • 1篇砷化镓
  • 1篇体缺陷
  • 1篇抛光
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇坩埚

机构

  • 6篇北京有色金属...

作者

  • 6篇万群
  • 3篇秦福
  • 2篇李英春
  • 1篇孙茂友
  • 1篇李玉增
  • 1篇陈坚邦

传媒

  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇分析试验室
  • 1篇上海金属（有...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇1993
  • 2篇1990
  • 2篇1989
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
HMCZ法熔体状态的研究
孙茂友万群秦福
关键词：单晶熔体晶体生长磁拉法半导体材料磁场强度
电力电子器件用区熔单晶的进展
万群李玉增李香梅
关键词：电子器件半导体材料硅单晶
对坩埚中硅熔体自由表面流的研究
1989年
本文采用观察熔硅自由表面上标记物体移动方式的方法研究了坩埚中自由表面层熔体的流动。提出了熔体中杂质传输的新看法。实验结果证实了自由表面层熔体流动对杂质在晶体中分布的影响。
李英春万群秦福
关键词：坩埚硅熔体
直拉法硅表面层熔体流动所遵循的线性规律
1989年
本文定量地研究了硅自由表面层熔体的流动规律,用大量实验数据确立了自由表面层熔体径向流动速度与熔体纵横比(D/H)值的线性对应关系。根据这个关系可以成功地解释和处理硅单晶生长过程中的许多相关问题。
李英春秦福万群
关键词：直拉法硅单晶晶体生长熔体
新材料的发展与分析化学被引量：2
1993年
文章介绍了新材料的重要性及发展方向,分析化学在新材料研制中起着耳目的作用,另一方面新材料也为分析化学的进展提供了课题与条件。微量分析、微区分析、表面分析是此领域中的重点。在未来的发展中,分析化学在材料的发展中的地位不会改变,并期待着分析灵敏度与空间分辩率的进一步提高。
万群
关键词：微区分析
全文增补中
ＧａＡｓ单片抛光表面质量的研究
陈坚邦万群
关键词：砷化镓抛光晶体迁移率晶体缺陷
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0