您的位置： 专家智库 > >

陈坚邦

作品数：14 被引量：44H指数：4
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇砷化镓
  • 4篇抛光
  • 4篇GAAS
  • 3篇半导体
  • 2篇单晶
  • 2篇扫描电镜
  • 2篇锑化镓
  • 2篇晶体
  • 1篇电镜
  • 1篇原子氧
  • 1篇散射
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇射电
  • 1篇射线
  • 1篇砷化镓材料
  • 1篇酸钠
  • 1篇损伤层
  • 1篇体缺陷
  • 1篇透射电镜
  • 1篇抛光工艺

机构

  • 14篇北京有色金属...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 14篇陈坚邦
  • 3篇王永鸿
  • 3篇钱嘉裕
  • 3篇王云春
  • 2篇郑安生
  • 1篇邓志杰
  • 1篇秦国刚
  • 1篇屠海令
  • 1篇王敬
  • 1篇董国全
  • 1篇韩庆彬
  • 1篇麦振洪
  • 1篇刘鸿飞
  • 1篇万群
  • 1篇张峰翊
  • 1篇葛培文
  • 1篇陈晶
  • 1篇马碧春
  • 1篇崔树范
  • 1篇王孙涛

传媒

  • 9篇稀有金属
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光散射学报

年份

  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1989
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
GaAs材料抛光机理的研究被引量：7
1997年
ＧａＡｓ材料抛光机理的研究陈坚邦王云春董国荃（北京有色金属研究总院北京１０００８８）关键词：原子氧ＧａＡｓ抛光机理氧化物１引言ＧａＡｓ材料硬度低、脆性大、缺陷多、易解理、加工困难，在抛光工艺中对单晶材料的缺陷及其完整性非常敏感。目前较多采用化学机械...
陈坚邦王云春董国荃
关键词：抛光砷化镓化合物半导体
GaAs抛光表面损伤的RBS研究被引量：6
1998年
本文以卢瑟福离子背散射技术（ＲＢＳ）检测了半绝缘ＧａＡｓ（１００）化学机械抛光表面的微损伤状况，并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体ＳｉＯ２和ＮａＯＣｌ溶液的混合液对ＧａＡｓ进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把ＲＢＳ法同Ｘ射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较，二者对应得很好。通过逐层腐蚀与ＲＢＳ相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度，发现如果抛光条件不适宜，获得的晶片表面尽管目视光洁度很好，也还有一定厚度的损伤层。ＲＢＳ法测得好的非掺半绝缘ＧａＡｓ（１００）（由ＬＥＣ法生长）抛光表面散射粒子最低产额低达３１％，这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。
董国全万群陈坚邦
关键词：抛光砷化镓卢瑟福背散射
锑化镓材料表面氧化机理的研究
1996年
利用扫描透射电子显微镜、Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱检测了锑化镓晶片表面氧化层的成分和结构，研究了锑化镓材料表面氧化物的形成过程。
陈坚邦王云春
关键词：锑化镓次氯酸钠原子氧
LEC < 111 > 磷化镓晶片缺陷的观察被引量：1
1999年
使用 Ｓ Ｔ Ｅ Ｍ、 Ｓ Ｅ Ｍ 观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤。切片损伤层深度约３０３ μｍ ， 磨片损伤层深度小于２０ μｍ 。还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑， 认为这是单晶生长时， 磷挥发造成的。同时离晶体表面１００ ～１５０ μｍ 范围内有镓凝聚物， 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的。
陈坚邦郑安生
关键词：扫描电镜磷化镓
砷化镓镓面抛光工艺的研究
杨波陈坚邦
关键词：砷化镓抛光衬底
锑化镓材料表面氧化的研究
1996年
锑化镓材料表面氧化的研究陈坚邦，王云春（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：锑化镓，空气，水，表面氧化（一）前言锑化镓材料是制造２～４μｍ激光器、红外发光管及高速低噪声雪崩光电二极管的重要衬底材料。它的三、四元化合物外延生长有良好的晶格匹配，是...
陈坚邦王云春
关键词：锑化镓单晶
GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究
2000年
我们采用射频磁控溅射方法在 p- Si衬底上成功地制备出四周期的非晶 Ga As/Si O2超晶格 ,并取得其高分辨率电镜像。以 80 0℃快速退火方法使超晶格中非晶的 Ga As层局部晶化 ,利用 Raman散射谱研究了其结构变化。
衡成林王孙涛秦国刚王敬王永鸿陈坚邦濮玉梅陈晶
关键词：超晶格砷化镓拉曼光谱
磷化镓材料市场前景被引量：3
2000年
综述世界GaP材料及LED的产销现状、市场前景。预测 2 0 0 0年普通可见光LED增长率为 1 0 % ,高亮度LED为 30 % ,GaP衬底材料增长率不低于 1 0 %。GaP单晶以LEC法Φ50～ 62mm为主 ,并朝着减少材料位错密度和降低成本方向努力。
陈坚邦钱嘉裕
关键词：LED
砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景
随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展。本文着重叙述了GaAs 单晶工艺技术现状,讨论了...
屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦
关键词：晶体生长砷化镓
文献传递
GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究被引量：2
1989年
应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。
麦振洪葛培文何杰崔树范贺楚光马碧春陈坚邦王永鸿
关键词：砷化镓单晶位错X射线
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0