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王云春

作品数:3 被引量:7H指数:1
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇锑化镓
  • 1篇单晶
  • 1篇原子氧
  • 1篇砷化镓
  • 1篇酸钠
  • 1篇抛光
  • 1篇氯酸
  • 1篇氯酸钠
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇次氯酸钠
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇北京有色金属...

作者

  • 3篇王云春
  • 3篇陈坚邦

传媒

  • 3篇稀有金属

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaAs材料抛光机理的研究被引量:7
1997年
GaAs材料抛光机理的研究陈坚邦王云春董国荃(北京有色金属研究总院北京100088)关键词:原子氧GaAs抛光机理氧化物1引言GaAs材料硬度低、脆性大、缺陷多、易解理、加工困难,在抛光工艺中对单晶材料的缺陷及其完整性非常敏感。目前较多采用化学机械...
陈坚邦王云春董国荃
关键词:抛光砷化镓化合物半导体
锑化镓材料表面氧化的研究
1996年
锑化镓材料表面氧化的研究陈坚邦,王云春(北京有色金属研究总院100088)关键词:锑化镓,空气,水,表面氧化(一)前言锑化镓材料是制造2~4μm激光器、红外发光管及高速低噪声雪崩光电二极管的重要衬底材料。它的三、四元化合物外延生长有良好的晶格匹配,是...
陈坚邦王云春
关键词:锑化镓单晶
锑化镓材料表面氧化机理的研究
1996年
利用扫描透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子能谱检测了锑化镓晶片表面氧化层的成分和结构,研究了锑化镓材料表面氧化物的形成过程。
陈坚邦王云春
关键词:锑化镓次氯酸钠原子氧
共1页<1>
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