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李英春

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 3篇坩埚
  • 3篇晶体
  • 2篇单晶
  • 2篇液面
  • 2篇熔体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇拉制
  • 2篇棱锥
  • 2篇硅单晶
  • 2篇半导体
  • 2篇掺杂
  • 2篇掺杂剂
  • 1篇圆锥
  • 1篇直拉法
  • 1篇熔体流动
  • 1篇体缺陷
  • 1篇面层
  • 1篇晶体缺陷
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体晶体

机构

  • 5篇北京有色金属...

作者

  • 5篇李英春
  • 5篇秦福
  • 2篇万群

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇上海金属（有...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
对坩埚中硅熔体自由表面流的研究
1989年
本文采用观察熔硅自由表面上标记物体移动方式的方法研究了坩埚中自由表面层熔体的流动。提出了熔体中杂质传输的新看法。实验结果证实了自由表面层熔体流动对杂质在晶体中分布的影响。
李英春万群秦福
关键词：坩埚硅熔体
制备半导体单晶用的双层坩埚
本实用新型涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径)为外坩埚直径的<Image file="91204133...
王体虎秦福李英春
文献传递
MCZ法生长硅单晶技术
秦福李英春王体虎
关键词：半导体材料单晶晶体生长晶体缺陷磁拉法
直拉法硅表面层熔体流动所遵循的线性规律
1989年
本文定量地研究了硅自由表面层熔体的流动规律,用大量实验数据确立了自由表面层熔体径向流动速度与熔体纵横比(D/H)值的线性对应关系。根据这个关系可以成功地解释和处理硅单晶生长过程中的许多相关问题。
李英春秦福万群
关键词：直拉法硅单晶晶体生长熔体
制备半导体单晶用的双层坩埚
本发明涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥简状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径)为外坩埚直径的<Image file="91101682.1...
王体虎秦福李英春
文献传递
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