徐志元
- 作品数：13 被引量：34H指数：4
- 供职机构：安徽大学物理与材料科学学院物理系更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家自然科学基金安徽省教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- Ag-MgF_2金属陶瓷体的烧结条件与微观结构被引量：2
- 2000年
- 本文报道了Ag -MgF2 金属陶瓷体的烧结条件与微观结构之间的关系。X射线衍射分析表明 ,当真空烧结炉中有氧气氛存在时 ( 3 0Pa的低真空 ) ,如烧结温度T≥ 60 0℃ ,Ag -MgF2 体系将转变为Ag -MgF2 -MgO ;当烧结温度达到 12 5 0℃时Ag -MgF2 体系转变成为Ag -MgO。在高真空中 ( <10 -3Pa)烧结时 ,Ag -MgF2 体系将保持不变。烧结后的Ag -MgF2金属陶瓷体的空隙率 ,在 3 0 %～ 5 5 % (质量分数 )Ag范围内出现极大值。
- 孙兆奇李爱侠徐志元孙大明
- 关键词：微观结构
- Cu-MgF_2金属陶瓷薄膜的微结构与光学特性被引量：5
- 1999年
- 报道了用真空蒸发法制备的 Ｃｕ － Ｍｇ Ｆ２ 金属陶瓷薄膜的微结构与光学特性的测试结果。在２２０ ｎ ｍ ～８００ ｎ ｍ 波段，薄膜的反射率很低，仅为１ ％ ～２ ．５ ％ ；透射率则在２００ ｎ ｍ ～６５０ ｎ ｍ之间随波长增大近似呈抛物线上升，至６５０ ｎ ｍ 处达到最大值４６ ％ ；吸光度随波长增大呈指数下降，在４００ ｃｍ － １ ～４ ０００ ｃ ｍ － １ 红外波段，薄膜的吸收率较高，约６５ ％ 。研究结果表明， Ｃｕ － Ｍｇ Ｆ２ 金属陶瓷薄膜可用于紫外—红外光区的减反射膜层以及太阳能转换器件的膜层。
- 孙兆奇孙大明王光亚谢平徐志元李爱侠
- 关键词：金属陶瓷微结构光学特性
- MgF_2氧化现象的X射线衍射研究被引量：6
- 2002年
- 采用X射线衍射方法 ,研究高稳定化学结构的MgF2 在 3 0 %Ag(质量分数 ,下同 )掺杂下 ,在低真空中 (≥ 3 0Pa)高温 (≥ 60 0℃ )烧结后 ,氧化成为MgO的过程。在烧结温度为 60 0℃ ,恒温时间为 2h时 ,XRD出现d为 2 .43 2 6,2 .10 65 ,1.4896 的MgO衍射峰。随着烧结温度升高 ,MgF2 的衍射峰逐渐减弱减少 ,MgO的衍射峰则逐渐增强增多。到 12 5 0℃时 ,MgF2 的衍射峰全部消失。然而 ,将MgF2 -3 0 %Ag样品在高真空中 (<10 - 3Pa) 10 0 0℃烧结 ,恒温 2h ,未观察到MgF2 有氧化现象。如果将纯MgF2 样品在开口高温炉中 (即大气中 )10 0 0℃烧结 ,仅发现 3个较弱的MgO衍射峰 (相应的d值为 2 .10 0 8,1.4882 ,1.0 5 2 5 ) ,MgF2 的衍射峰全部出现。讨论了MgF2 的氧化机理 ,指出Ag在MgF2 的氧化过程中起了中间媒介作用。
- 徐志元孙大明李爱侠孙兆奇
- 关键词：氟化镁X射线衍射光学材料
- 关于硅表面的直接氮化
- 1995年
- 本文结合自已的工作实践简要评述了硅直接氮化的研究进展。热氮化或等离子体增强热氮化硅膜的自限制生长及准饱和厚度(一般≤100)可以用来制备超薄栅绝缘物。等离子体阳极氮化技术,用 CF_4和 H_2等离子体对硅表面的自然氧化层进行预刻蚀后大大提高了薄膜生长效率。突破了热氮化的准饱和厚度,降低了反应温度。该方法可用于生长较厚的氮化硅膜。
- 刘春荣徐志元
- 关键词：硅热氮化等离子体
- 等离子体氧化锗膜的生长动力学及氮化改性
- 1993年
- 在恒定直流偏置电压下,在稍长的时间t以后,等离子体阳极氧化锗膜的生长遵从抛物线规律X_t^2-X_v^2=kt,并由离子迁移理论推导出氧化速率常数k.由于电场增强输运,等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化高得多.经等离子体氮化之后,Ge-O-N膜具有优良的抗湿性能。
- 徐志元刘春荣刘淑敏
- 关键词：氮化
- 膜用 Ag-MgF_2 金属陶瓷体的真空烧结被引量：1
- 1998年
- 介绍了供薄膜制备用的Ａｇ—ＭｇＦ２金属陶瓷体的真空烧结过程，组分Ａｇ的偏析，空隙率与组分比以及温度之间的关系，得到了保证Ａｇ—ＭｇＦ２体系组分比的制备条件。
- 孙兆奇李爱侠徐志元孙大明
- 关键词：金属陶瓷真空烧结偏析空隙率
- Ag-MgF_2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究被引量：8
- 2000年
- 以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成。在400～1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400～600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730～1250cm-1的吸收谱带;在200～800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220～800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340～580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(>51%)
- 徐志元孙兆奇李爱侠孙大明
- 关键词：复合结构光学特性
- Al-MgF_2金属陶瓷薄膜的微观结构与光学特性被引量：3
- 1999年
- 本文首次报道了用真空蒸发制备的Ａｌ－ＭｇＦ２ 金属陶瓷薄膜微观结构与光学特性。在２００～８００ｎｍ 波段，薄膜的反射率很低，为１％ ～２．５％ ；透射率则呈抛物线上升，至８００ｎｍ处达７２％ ；吸光度随波长增大呈指数下降。Ａｌ－ＭｇＦ２ 金属陶瓷薄膜的这种光学性质与其微观结构有关。文章还对Ａｌ－ＭｇＦ２ 金属陶瓷薄膜的制备技术和氧化现象进行了讨论。
- 孙大明孙兆奇黄小涛刘同旵李爱侠徐志元
- 关键词：微观结构光学特性
- Ag-MgF_2纳米金属陶瓷薄膜的光吸收特性被引量：10
- 2001年
- 测量了真空热蒸发沉积法制备的Ag MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在近紫外到可见光区的吸收光谱、光学常数和介电函数 ,观察到在 42 7nm处有明显的表面等离子激元共振吸收峰。消光系数与介电函数的虚部谱形类似。
- 徐志元孙兆奇李爱侠孙大明
- 关键词：光吸收氟化镁光学性能银
- Cu-MgF_2纳米金属陶瓷薄膜的微结构及吸收光谱特性研究被引量：4
- 2000年
- 对用蒸发技术制备的Cu -MgF2 纳米金属陶瓷薄膜微结构及吸收光谱特性进行了研究。微结构分析表明薄膜由fcc -Cu纳米晶粒镶嵌于主要呈非晶态的MgF2 基体中所组成 ,晶粒的平均粒度约为 1 4～ 1 6nm。Cu -MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在 2 0 0～ 80 0nm波段内的吸收光谱表明 :随着波长增加 ,吸收减小 ;Cu纳米晶粒的表面等离子共振吸收峰出现于 560nm处 ;短波长区呈现较强的Cu的带间跃迁吸收。用三维弥散系统的Maxwell-Garnett理论对Cu -MgF2 复合体系的实验吸收光谱特性作出了解释。
- 孙兆奇吴桂芳李爱侠徐志元孙大明
- 关键词：吸收光谱微结构铜氟化镁
