吴桂芳
- 作品数：11 被引量：72H指数：5
- 供职机构：安徽大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响被引量：9
- 2003年
- 用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm。用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显。用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论。制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小。
- 吴桂芳宋学萍杨成浩江兵孙兆奇
- 关键词：退火温度薄膜应力微结构
- 直流磁控溅射镀膜实验条件的选择被引量：7
- 2004年
- 介绍一台改制的直流以磁控溅射镀膜机用于溅射镀膜实验 ,选择实验条件 ,观察实验现象 。
- 吴桂芳赵青生
- 关键词：高等教育物理实验教学辉光放电
- 用反射椭偏术测膜厚实验中存在的问题及解决办法(英文)
- 1997年
- 薄膜科学与技术是当前高科技中的一个重要领域，用反射式椭偏仪测量薄膜厚度是一个重要的物理实验．然而，目前的实验内容只能确定膜厚在第一周期以内的值而不能确定膜厚的周期数，因而不能测得薄膜的实际厚度．
- 孙兆奇曹卓良吴桂芳
- 关键词：厚度
- 退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响被引量：19
- 2002年
- 采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。
- 吴桂芳史守华何玉平王磊王磊孙兆奇
- 关键词：退火温度应力硅基片铜薄膜微电子技术
- 溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究被引量：4
- 2003年
- 采用光学相移法 ,对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度 (2 0 0℃ )下的应力变化进行了研究。研究表明 :膜厚在10 3～ 2 2 8nm之间的平均应力和应力差的变化比较小 ,应力分布比较均匀。
- 吴桂芳宋学平王荣刘琦孙兆奇
- 关键词：退火温度膜厚应力
- 一种新型锗霍尔元件研制
- 1999年
- 介绍了一种新型锗霍尔元件的结构设计，讨论其工艺流程和特点。
- 吴桂芳陈志祥
- 关键词：霍尔元件磁感应强度
- Cu-MgF_2纳米金属陶瓷薄膜的微结构及吸收光谱特性研究被引量：4
- 2000年
- 对用蒸发技术制备的Cu -MgF2 纳米金属陶瓷薄膜微结构及吸收光谱特性进行了研究。微结构分析表明薄膜由fcc -Cu纳米晶粒镶嵌于主要呈非晶态的MgF2 基体中所组成 ,晶粒的平均粒度约为 1 4～ 1 6nm。Cu -MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在 2 0 0～ 80 0nm波段内的吸收光谱表明 :随着波长增加 ,吸收减小 ;Cu纳米晶粒的表面等离子共振吸收峰出现于 560nm处 ;短波长区呈现较强的Cu的带间跃迁吸收。用三维弥散系统的Maxwell-Garnett理论对Cu -MgF2 复合体系的实验吸收光谱特性作出了解释。
- 孙兆奇吴桂芳李爱侠徐志元孙大明
- 关键词：吸收光谱微结构铜氟化镁
- 不同厚度溅射Ag膜的微结构及光学常数研究被引量：24
- 2002年
- 用直流溅射法在室温Si基片上制备了 4 .9nm～ 189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜 ,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明 :制备的Ag膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随膜厚增加薄膜的平均晶粒尺寸由 6 .3nm逐渐增大到 14 .5nm ;薄膜晶格常数均比标准值(0 .4 0 86 2nm)稍小 ,随膜厚增加 ,薄膜晶格常数由 0 .4 0 5 85nm增大到 0 .4 0 779nm。 2 5 0nm～ 830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明 :与Johnson的厚Ag膜数据相比 ,我们制备的Ag薄膜光学折射率n总体上均增大 ,消光系数k变化复杂 ;在厚度为 4 .9nm～ 83.7nm范围内 ,实验薄膜的光学常数与Johnson数据差别很大 ,厚度小于 33.3nm的实验薄膜k谱线中出现吸收峰 ,峰位由 4 6 0nm红移至 6 90nm处 ,且其对应的峰宽逐渐宽化 ;当膜厚达到约189nm时 ,实验薄膜与Johnson光学常数数据已基本趋于一致。
- 何玉平吴桂芳李爱侠孙兆奇
- 关键词：微结构光学常数椭偏光谱薄膜厚度银薄膜
- “La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/Ag/Fe”多层膜的制备及性能研究被引量：1
- 1999年
- 利用磁控溅射，将磁电阻材料Ｌａ０．６７ Ｃａ０．３３ＭｎＯ３（Ｔｃ＝ ２６７℃）与金属Ａｇ、Ｆｅ 等材料相结合，制成了多层膜（磁电阻材料／非磁金属／铁磁金属），测得了三层膜“Ｌａ０．６７ Ｃａ０．３３ＭｎＯ３／Ａｇ／Ｆｅ”的巨磁电阻效应（ＭＲ＝ ８６％ ，Ｂ＝ ０．８Ｔ，Ｔ＝ １５０Ｋ）．
- 吴桂芳伍小保周圣明赵宗彦
- 关键词：磁控溅射多层膜巨磁阻效应锰氧化物
- 衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究被引量：8
- 2004年
- 薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。
- 吴桂芳宋学平刘勇林伟孙兆奇
- 关键词：衬底温度基片温度微结构薄膜应力超大规模集成电路
