刘春荣
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：安徽大学物理与材料科学学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>
- 等离子体氧化锗膜的AES和XPS
- 1989年
- 在高频激发的氧等离子体中成功地实现了锗的阳极氧化。其氧化效率比锗在一个大气压氧气氛下的热氧化高的多。用俄歇电子谱(AES)和X-射线光电子谱(XPS)结合氩离子溅射分析了等离子体氧化锗膜的化学组份与化学态。在该薄膜表面,仅观察到GeO_2。在氧化膜体内主要由GeO_2组成,并含有少量未氧化的锗。当氩离子溅射以后,在氧化膜XPS中出现Ge(3d)的双峰。结合能为33.7eV的主峰起源于GeO_2中的Ge(3d),29.2eV的小峰归因于薄膜中少量未氧化的锗。定量计算表明,等离子体阳极氧化锗膜的化学计量比非常接近于玻璃态二氧化锗。
- 刘春荣刘玲
- 关键词：氧化锗AESXPS阳极氧化热氧化元素半导体
- 关于硅表面的直接氮化
- 1995年
- 本文结合自已的工作实践简要评述了硅直接氮化的研究进展。热氮化或等离子体增强热氮化硅膜的自限制生长及准饱和厚度(一般≤100)可以用来制备超薄栅绝缘物。等离子体阳极氮化技术,用 CF_4和 H_2等离子体对硅表面的自然氧化层进行预刻蚀后大大提高了薄膜生长效率。突破了热氮化的准饱和厚度,降低了反应温度。该方法可用于生长较厚的氮化硅膜。
- 刘春荣徐志元
- 关键词：硅热氮化等离子体
- 等离子体氧化锗膜的生长动力学及氮化改性
- 1993年
- 在恒定直流偏置电压下,在稍长的时间t以后,等离子体阳极氧化锗膜的生长遵从抛物线规律X_t^2-X_v^2=kt,并由离子迁移理论推导出氧化速率常数k.由于电场增强输运,等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化高得多.经等离子体氮化之后,Ge-O-N膜具有优良的抗湿性能。
- 徐志元刘春荣刘淑敏
- 关键词：氮化
- 氧等离子体阳极氧化SiO_2膜的红外吸收带
- 1984年
- 本文采用高频感应氧等离子体阳极氧化的方法在硅表面上生长一层SiO_2膜,并用IR-450S型红外分光光度计测量了室温下氧等离子体阳极氧化SiO_2膜的红外吸收光谱。实验表明,在2.5～50μm波段内,该薄膜靠近9.26μm、12.42μm和21.98μm处各有一个红外吸收带。
- 刘春荣汪光纯
- 关键词：红外吸收红外吸收光谱SIO2红外分光光度计硅基底
- 等离子体氧化锗膜的抛物线生长规律及氮化改性
- 1997年
- 在恒定直流偏压下，在稍长的时间ｔ以后，等离子体氧化锗膜生长遵从抛物线规律Ｘ２ｔ－Ｘ２ｅ＝ｋｔ，并由离子迁移理论推导出氧化速率常数ｋ。由于电场增强输运，等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化锗膜高得多。经等离子体氮化之后，ＧｅＯｘＮｙ膜具有优良的抗湿性能。
- 徐志元刘春荣
- 关键词：C-MOS锗
