马德录
- 作品数：15 被引量：12H指数：3
- 供职机构：辽宁大学物理系更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生金属学及工艺更多>>
- N^+和N_2^+注入硅的应变、应力和扩展电阻
- 1990年
- 由离子注入形成的SOI材料制成的超大规模集成电路具有速度快、抗辐照等优点,因此SOI材料在微电子领域中将得到广泛应用。目前,形成SOI材料的途径主要是向硅中注氮或氧,在离子注入过程中将产生大量点缺陷及复杂缺陷,这些缺陷将导致晶格应变,使晶格之间产生应力。当离子半径小于晶体中原子半径时,将导致晶格收缩;反之,将使晶格膨胀。
- 尚德颖陈桂菊丁育胜裴永伟王国权吴振声马德录
- 关键词：SOI材料离子注入应力硅
- 椭圆偏振光研究O_2^+注入Si的退火特性
- 2001年
- 用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 。
- 高雅君刘宏俊韩宇马德录
- 关键词：离子注入椭圆偏振光集成度氧离子
- As^+注入Si中的晶格应变(英文)
- 1999年
- 本文借助于双晶ｘ 射线衍射（ Ｄ Ｃ Ｄ） 和椭园偏光谱（ Ｅ Ｓ） 研究了注入能量为１６０ｋｅ Ｖ．不同剂量和不同退火温度（５００ ～７００ ℃） Ａｓ ＋ 注入 Ｓｉ 的性质．用ｘ 射线衍射的动力学理论和多层模型拟合了双晶衍射的摇摆曲线，得到了晶格应变随深度的分布．结果表明，注入剂量１ ×１０１６ｃｍ － ２ ，退火温度６００ ℃形成了外延层．
- 马德录韩宇牟晓兰
- 关键词：离子注入退火X射线衍射硅
- 离子注入Si辐射损伤的X射线衍射线型分析
- 吴振声马德录程显中
- 关键词：离子注入X射线衍射分析晶体氩
- X射线衍射研究固体中的原子碰撞
- 1990年
- 由于研制新材料、新器件的需要,使得固体中原子碰撞的研究成为当前很活跃的一个新领域。而XRD能给出固体中原子碰撞后的大量信息。因此很多人开展了这方面的研究工作。A.Singh等人(1)用XRD研究了离子束合成氮化铝膜。我们首先测量了A^+s打入硅片后的X衍射分布,然后模拟实验曲线。根据XRD的运动学理论,在我们给出的试探应变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算了晶格应变在不同剂量和退火温度的情况下随深度的分布。
- 马德录毛晓峰尚德颖
- 关键词：原子碰撞X射线衍射研究退火温度氮化铝
- C^+注入Si的晶格畸变
- 1997年
- 本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化。
- 马德录韩宇高雅君李淑凤郭继红
- 关键词：离子注入摇摆曲线晶格畸变硅X射线衍射法
- B^+注入Si的辐射损伤和退火特性
- 1998年
- 本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性．
- 马德录李淑侠蔡方韩宇高雅君关建新
- 关键词：离子注入退火特性硅
- N^+和N_2^+注入Si的力学和电学特性被引量：3
- 1990年
- 本文用X射线衍射(XRD)的运动学理论和扩展电阻(SR)研究了N^+和N_2^+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了不同剂量N^+和N_2^+注入Si的电阻率随深度的变化。二者比较,我们实验的各种剂量(1×10^(16)cm^(-2)除外)的电阻率大致相等,而产生的应变,后者是前者的1.3倍左右。
- 马德录毛晓峰尚德颖
- 关键词：离子注入NSIX射线衍射
- X射线衍射研究N_2^+注入Si被引量：9
- 1989年
- 本文首先给出了180kcV的N_2^+注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。
- 马德录尚德颖于锦华
- 关键词：离子注入SI
- X射线衍射动力学理论研究As^＋注入Si被引量：4
- 1996年
- 本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１×１０１４～３×１０１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１×１０１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１×１０１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．
- 马德录李晓舟毛晓峰高雅君
- 关键词：X射线衍射动力学硅
