宋昭朋
- 作品数:7 被引量:4H指数:1
- 供职机构:辽宁大学物理系更多>>
- 相关领域:理学医药卫生电子电信更多>>
- 碱束斯特恩-盖拉赫实验被引量:4
- 2002年
- 利用 K束斯特恩 -盖拉赫实验装置 ,通过对束源和表面电离探测器的改进 ,实现 Li,Na,K,Rb,Cs全碱束斯特恩 -盖拉赫实验 .
- 邱忠安宋昭朋
- 关键词:原子束碱金属原子实验教学
- 施特恩-格拉赫实验束形分析被引量:1
- 2004年
- 对于施特恩-格拉赫实验,实验者通常是根据实验得到的束强分布与束强分布函数的符合程度来评价实验结果的.本文结合一系列专题实验,系统地讨论了束强分布函数的来源、基本形式、适用范围及应用时应注意的一些问题.
- 邱忠安宋昭朋
- 关键词:原子束
- 椭圆偏振光研究N_2^+注入Si的退火特性
- 1989年
- 本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2^+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2^+注入Si的退火特性,结果表明:N_2^+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。
- 马德录宋昭朋苏铁力尚德颖马国敬赵淑玉
- 关键词:离子注入退火偏振光
- Li与Na束斯特恩-盖拉赫实验
- 1990年
- 本文介绍在普通K束Stern-Gerlach实验装置上进行Li束和Na束实验的方法。
- 宋昭朋邱忠安
- 关键词:分子束
- 四探针研究N^+注入Si的退火特性
- 1988年
- 本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N^+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N^+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10^(14)N^+/cm^2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10^(14)N^+/cm^2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。
- 马德录宋昭朋赵淑玉马国敬关策崔启志
- 关键词:薄层电阻SI退火效应
- 表面电离探测器钨丝的处理
- 1988年
- 本文介绍对表面电离探测器的钨丝进行氧化处理的一种方法,经过处理的钨丝,其逸出功可从4.52eV提高到6eV,因而Li、Na等电离势较高的原子也能被电离.
- 宋昭朋邱忠安
- 关键词:电离势原子数电离度热偶真空计
- 弱磁场测定实验
- 1987年
- 杨世湘宋昭朋宋淑云
- 关键词:弱磁场核磁共振磁强计坡莫合金弛豫效应数字频率计流水式