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于锦华

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇离子注入
  • 1篇N2
  • 1篇SI
  • 1篇X射线衍射研...
  • 1篇N

机构

  • 1篇辽宁大学

作者

  • 1篇马德录
  • 1篇于锦华

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
X射线衍射研究N_2^+注入Si被引量：9
1989年
本文首先给出了180kcV的N_2^+注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。
马德录尚德颖于锦华
关键词：离子注入SI
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