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一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件: 本发明提供一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件。所述硫酸盐晶体的化学式为MxM′yM″z(SO4)(x/2+y/...; 龙西法沙洪源王祖建苏榕冰何超杨晓明

极化调控PIN-PMN-PT铁电单晶压电性能的均匀性: 2024年; 弛豫铁电单晶具有优异的压电性能,在医学超声换能器、水声器件等领域有重要应用。坩埚下降法生长的弛豫铁电单晶不可避免地存在组分偏析,导致材料利用率极低。本工作测试了0.24PIN-0.46PMN-0.30PT铁电单晶沿生长方向压电系数(d_(33))和介电常数(ε_(33)^(T)/ε_(0))的变化,结果显示d_(33)和ε_(33)^(T)/ε_(0)沿着生长方向变化极大,能保持性能接近的区域不足20 mm。通过针对不同区域的极化设计,对铁电-铁电相变温度接近的区域进行极化调控,使超过60%晶体部分的d_(33)和ε_(33)^(T)/ε_(0)分别维持在(1500±140)pC·N-1和4900±350。为了验证极化调控后的晶体谐振区域是否一致,测试了两端区域的k_(33)振子的谐振谱,结果显示两者的机电耦合系数接近,谐振和反谐振的峰位置也接近,而且不存在额外的寄生振动,说明采用极化调控PIN-PMN-PT铁电单晶沿生长方向的均匀性是可行的。本工作为提高PIN-PMN-PT铁电单晶的利用率提供了一种参考方案。; 梁敏熊瑞彬陈淑丽王祖建苏榕冰苏彬刘颖刘颖; 关键词：铁电单晶压电系数

感应加热提拉法生长Bi_(12)TiO_(20)晶体: 2000年; Bi 12 TiO 20 (BTO)crystals have same structure as that of the Bi 12 SiO 20 (BSO)which is one of the most popular photorefractive materials.And both of them belong to cubic non centrosymmetric nonferroelectric materials.The cubic nonferroelectric oxides exhibit a number of advantages such as higher sensitivity and faster respond for applications in photorefractive.Compared to BSO,BTO have the largest electro optical coefficient and lower optical activity,especially it exhibits much high photosensitivity in the red light region that permits to use a cheap He Ne laser.It is,therefore,of high potential for applications in optical devices.; 唐鼎元庄健王元康陈金风陈黎娜苏榕冰

一种光学材料双折射率测试装置及测试方法: 本发明公开了一种光学材料双折射率测试装置和测试方法，所述装置包括多波长光路系统、位相补偿系统、位相检测与处理系统、原位厚度测量系统；所述多波长光路系统包括双光路模块、正交偏光模块；所述位相补偿系统包括光程差增补模块，用于...; 龙西法王祖建杨云苏榕冰何超杨晓明

一种反铁电单晶材料、其制备方法及其应用: 本申请公开了一种反铁电单晶材料，所述反铁电单晶材料为钨镁酸铅‑铌镥酸铅二元反铁电单晶材料。该反铁电单晶材料为反铁电领域提供一种可开关、可调变的新型单晶材料，有望在能量储能、脉冲电源、精密致动等领域中有所应用。; 杨晓明何超苏榕冰龙西法; 文献传递

一种具有大倍频效应的深紫外透明硫酸盐晶体及其制备方法和应用: 本发明提供一种具有大倍频效应的深紫外透明硫酸盐晶体。所述硫酸盐晶体的化学式为MxM′yM″z(SO4)(x/2+y/2+z...; 王祖建徐俊鑫何超苏榕冰杨晓明张文杰

一种光学材料折射率测试装置及测试方法: 本发明公开了一种光学材料折射率测试装置及测试方法，所述装置包括多波长光路系统、原位高度测量系统和位相检测系统，及双光路模块和正交偏光模块、自动升降模块、快速聚焦模块和实时高度测算模块、自动成像模块；其中，所述多波长光路系...; 龙西法王祖建杨云苏榕冰何超杨晓明; 文献传递

一种A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料、其制备方法及其应用: 本申请公开了一种A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料，具有如式I所示的化学式；(MxLayAz)(B'1/2B”1/2</S...; 杨晓明何超苏榕冰龙西法; 文献传递

La^3+掺杂对Pb(Lu1/2Nb1/2)O3反铁电单晶储能性能的影响: 2020年; 采用顶部籽晶法生长了La3+掺杂Pb(Lu1/2Nb1/2)O3(PLN)反铁电单晶,晶体组分简写为xLa-PLN(x=1%、3%、5%),并详细研究了La3+掺杂对PLN晶体储能性能的影响。通过ICP测试了不同配比晶体的实际掺杂比例,分别为0.3%、1.1%、2.9%。XRD显示该晶体体系为正交相钙钛矿结构,且存在两套超晶格衍射点阵,分别由A位铅离子反平行排列和B位离子有序排列导致。介电温谱给出了晶体的介电常数、介电损耗随温度和频率的变化规律,不存在弥散相变。变温电滞回线显示,该体系均表现出典型的双电滞回线特性,且随着La3+含量的增加,有效储能密度逐渐增大,最高储能密度达到5.1 J/cm3。这主要是由于La3+掺杂导致体系的容忍因子下降,从而增强了反铁电稳定性,最终提高了PLN体系的能量存储密度。; 杨晓明刘颖王祖建苏榕冰苏榕冰龙西法; 关键词：顶部籽晶法

极化方法对PZT-4压电陶瓷性能的影响: 2022年; Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)(PZT)由于具有优异的综合性能而成为应用最广泛的压电陶瓷。之前研究工作证明了与直流极化(DCP)和交流极化(ACP)相比,采用交流极化和直流极化相结合的方法能进一步提高弛豫铁电单晶材料的压电性能。本工作报道了直流极化、交流极化和交流极化+直流极化后PZT-4压电陶瓷的介电性能和压电性能,探究了直流极化、交流极化和交流极化+直流极化的最佳极化条件。在最佳交流极化+直流极化条件下,PZT-4压电陶瓷的压电常数(d_(33))为350 pC/N,相比直流极化(305 pC/N)、交流极化(320 pC/N)分别提高了15%和9%。交流极化后的PZT-4陶瓷样品的应变值(0.08%)高于进行直流极化样品的(应变值0.05%),表明交流极化可以有效提高PZT-4陶瓷的应变值,但是交流极化后应变曲线的滞后增大不利于器件应用,交流极化对硬性压电陶瓷的影响还需要进一步探讨。; 胡玉栋汪跃群孔舒燕张文杰杨晓明王祖建苏榕冰龙西法何超; 关键词：PZT 压电陶瓷压电性能

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