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纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱被引量：1: 1998年; 用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明，室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰，说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级，离导带顶大约２．２ｅＶ；掺铝后该吸收峰消失，光折变效应也随之消失．; 吴良津庄健; 关键词：光折变晶体钛酸铋光吸收谱

感应加热提拉法生长Bi_(12)TiO_(20)晶体: 2000年; Bi 12 TiO 20 (BTO)crystals have same structure as that of the Bi 12 SiO 20 (BSO)which is one of the most popular photorefractive materials.And both of them belong to cubic non centrosymmetric nonferroelectric materials.The cubic nonferroelectric oxides exhibit a number of advantages such as higher sensitivity and faster respond for applications in photorefractive.Compared to BSO,BTO have the largest electro optical coefficient and lower optical activity,especially it exhibits much high photosensitivity in the red light region that permits to use a cheap He Ne laser.It is,therefore,of high potential for applications in optical devices.; 唐鼎元庄健王元康陈金风陈黎娜苏榕冰

钛酸铋晶体的吸收系数与光强的关系被引量：1: 2002年; 用 2种方法测量BTO晶体的吸收系数随光强变化关系 ,结果表明 ,室温下BTO晶体的吸收系数对光强的依赖关系很大。; 陈美锋吴敬标庄健; 关键词：光强光折变晶体钛酸铋

大尺寸钒酸钇晶体的熔体引上法生长及缺陷研究: 1997年; 大尺寸钒酸钇晶体的熔体引上法生长及缺陷研究庄健唐鼎元吕坚洪桂仙陈金凤杨桦王元康姚子健陈黎娜（中国科学院福建物质结构研究所，福州３５０００２）ＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉＧｒｏｗｔｈａｎｄＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅＤｅｆｅｃｔｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅＹＶＯ４Ｃｒｙ...; 庄健唐鼎元吕坚洪桂仙陈金凤杨桦王元康姚子健陈黎娜; 关键词：激光晶体钒酸钇晶体引上法晶体生长

光折变晶体钛酸钡锶电荷传输参数的测量: 1993年; 报道用两波耦合技术测量光折变晶体钛酸钡锶(Ba_(1-x)Sr_xTiO-3,BST)的电荷传输参数φμτ在激光波长λ=515nm和光功率密度I—1W/cm^2下测得光折变响应时间为0.5sec.考虑到BST晶体吸收系数的光强相关性,修改了光栅形成率的函数变量,得到BST晶体的暗电导σ_a和电荷传输参数φμτ的拟合值分别为1.0×10^(-11)(Ωcm)^(-1)和2.8×10^(-10)cm^2/V.; 高宪成黄亦好翁雅英陈黎娜庄健; 关键词：光折变晶体电荷输运

抗“灰迹”KTP晶体光学性能研究被引量：4: 2008年; 用改进的熔盐顶部籽晶法生长了KTiOPO4(KTP)晶体并对该晶体进行了抗"灰迹"性能测试。测试表明,在功率密度为120kW/cm2的1064nm激光和10kW/cm2的532nm激光共同照射1000 s后,晶体在633nm处的吸收依然维持在1.05×10-4/cm左右,表明该晶体比普通KTP晶体具有更高的抗"灰迹"性能。透过率测试表明,用本方法生长的KTP晶体在波长短于500nm的区域比普通KTP晶体有更高的透过率。通过实验测定,得出该晶体在室温下1064nm倍频Ⅱ类相位匹配角θ=90°时=24.40°。; 苏榕冰陈昱陈黎娜陈金凤曾文荣庄健; 关键词：KTP

生长低温相偏硼酸钡大单晶的气冷晶体法: 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡(β-BBO)大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长BBO晶体时，用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却，加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生...; 唐鼎元王元康姚子健庄健; 文献传递

吸收栅对光折变晶体钛酸铋中两波混合能量转移的影响: 1992年; 基于钛酸铋晶体的吸收系数依赖于入射光强,考虑吸收栅对它的两波混合能量转移的影响,在某些近似条件下,推导出稳态两波耦合作用的表达式,与实验结果作了比较。测量了纯吸收栅的增益,给出结果。; 黄亦好翁雅英高宪成唐鼎元庄健; 关键词：光折变效应

光折变晶体Bi_(12)TiO_(20)的折射率和光学均匀性的测量: 1993年; 本文报导光折变晶体Bi_(12)TiO_(20)的折射率和光学均匀性的测量结果。; 黄亦好吴柏昌高宪成翁雅英唐鼎元曾文荣庄健; 关键词：光折变晶体钛酸铋折射率

YVO_4晶体中缺陷的观察被引量：3: 2000年; 应用光学显微镜 ,X射线衍射 ,激光层析和分子光谱等方法观察和分析了用中频感应提拉法生长的YVO4和Nd :YVO4晶体中缺陷。观察表明 ,晶体中的主要缺陷有如下几种 :( 1 )开裂 ,主要包括无规则开裂 ,解理和微裂纹等。( 2 )包裹体 ,主要包括无规则形状的无序和有序排列的包裹体 ,气泡以及铱小片等。( 3)小角度晶界。( 4)色心等。无规则开裂通常是由机械杂质或自发形成的杂晶进入生长晶体而造成的。晶体容易沿垂直于a轴方向解理 ,这与晶体的结构和各向异性的热膨胀性质有关。而晶体中的微开裂都处在微小包裹体的周围 ,其开裂的方向与解理方向相同 ,这种开裂显然是由包裹体造成的应力所引起的。YVO4晶体中的包裹体是影响最大的一种缺陷 ,大多数包裹体用肉眼就可以观察到 ,它们通常集中在大尺寸晶体的中心部位 ,造成严重的光散射 ,这可能与晶体的导热性能较差有关。YVO4晶体中包裹体的形成有二个不同的途径 ,一个是由外界进入晶体的如母液包臧、气泡、杂质等。另一个是由于固溶于YVO4中的极小量的YVO3 ,在晶体快速冷却时造成析晶所致。影响晶体实际应用的另一个缺陷是小角度晶界。它主要是由籽晶的不完美和生长初期的控制不当造成的。众所周知 ,该晶体中的色心是由氧缺陷引起的。我们通过液相法合成原料 ,特种?; 唐鼎元庄健王元康陈金风陈黎娜廖洪平; 关键词：晶体缺陷色心包裹体

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庄健

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