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王迅

作品数：138 被引量：258H指数：9
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 112篇期刊文章
  • 14篇专利
  • 8篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 82篇电子电信
  • 37篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇历史地理
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 35篇半导体
  • 24篇硅
  • 22篇发光
  • 16篇多孔硅
  • 15篇晶格
  • 15篇超晶格
  • 14篇导体
  • 14篇分子束
  • 14篇分子束外延
  • 13篇SI
  • 11篇量子
  • 10篇X
  • 9篇量子点
  • 8篇红外
  • 7篇探测器
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇钝化
  • 6篇异质结
  • 6篇砷化镓

机构

  • 131篇复旦大学
  • 8篇中国科学院
  • 7篇北京大学
  • 5篇西安交通大学
  • 4篇中国科学院长...
  • 2篇福州大学
  • 2篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇广岛大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇南通大学
  • 1篇浙江工学院

作者

  • 137篇王迅
  • 23篇蒋最敏
  • 21篇张翔九
  • 21篇侯晓远
  • 14篇盛篪
  • 13篇丁训民
  • 12篇龚大卫
  • 12篇樊永良
  • 11篇王杰
  • 11篇黄大鸣
  • 9篇卢学坤
  • 7篇郝平海
  • 7篇朱海军
  • 6篇张甫龙
  • 6篇陈辰嘉
  • 6篇王学忠
  • 6篇施斌
  • 5篇赵登涛
  • 5篇刘恩科
  • 5篇凌震

传媒

  • 30篇物理
  • 20篇物理学报
  • 17篇Journa...
  • 7篇红外与毫米波...
  • 6篇国际学术动态
  • 5篇自然科学进展...
  • 3篇光学学报
  • 3篇光谱学与光谱...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇高能物理与核...
  • 2篇物理学进展
  • 2篇世界科学
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理实验
  • 1篇科学通报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇福州大学学报...
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
  • 6篇2002
  • 2篇2001
  • 10篇2000
  • 9篇1999
  • 17篇1998
  • 14篇1997
  • 11篇1996
  • 11篇1995
  • 16篇1994
  • 11篇1993
  • 10篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1990
  • 3篇1989
  • 1篇1987
  • 1篇1986
  • 1篇1983
共 138 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格被引量：3
1996年
利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．
盛篪周铁城龚大卫樊永良王建宝张翔九王迅
关键词：元素半导体锗SIGE合金硅超晶格
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化被引量：5
1998年
Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术使Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述．
袁泽亮侯晓远王迅
关键词：表面钝化硫钝化半导体器件
砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长...
曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远王迅
文献传递
1.30 μm/1.55 μm SiGe多模干涉滤波器
1998年
用多模干涉原理分析和设计了光通信波长（１．３０μｍ～１．５５μｍ）的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ滤波器，并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现，在Ｇｅ含量ｘ＝０．０４时，干涉区的脊高和宽度分别为６．３５μｍ和８μｍ。如果多模干涉区长度ＬＭ＝２３０２．５μｍ，可滤１．３０μｍ而通１．５５μｍ的波长。且具有３１ｄＢ的对比度和０．０１ｄＢ的插入损耗；如果多模干涉区长度ＬＭ＝２５１２．５μｍ，可滤１．５５μｍ而通１．３０μｍ的波长。具有１６ｄＢ的对比度和０．０９ｄＢ的插入损耗。
李宝军李国正刘恩科刘恩科
关键词：滤波器多模干涉SIGE光通信系统
导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质
1998年
用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱中基态子能级位置下降，从而导致载流子激发能增加．
林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅
关键词：硅基基态
有机场效应晶体管材料及器件研究进展被引量：20
2005年
有机场效应晶体管(organic fieldeffect transistor,OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进,使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一.文章概述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展.
刘承斌范曲立黄维王迅
关键词：管材料场效应晶体管信息领域半导体微电子
半导体异质结界面能带排列的实验研究被引量：5
1991年
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。
卢学坤王迅
关键词：半导体异质结
平面光波导偏振器的设计及其结构
本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大,消光比低,所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系,然后引入缺陷层,再调节缺陷层的参数,使得不同偏振态光的缺陷态对...
施斌赵登涛樊永良王迅
文献传递
砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
文献传递
多孔硅光电压的时间特性研究被引量：2
1997年
报道了多孔硅肖特基二极管在１０ｎｓ，５３２ｎｍ光脉冲激发下的光电压瞬态响应特性．在室温下，瞬态光电压包含了快慢不同的两种衰减组分：时间常数为４４ｎｓ的快过程及占主导地位的时间常数为１７μｓ的慢过程．后者是由声子参与的自由载流子复合过程引起并在低温（７７Ｋ）下消失．光电压幅度随激发光强度的增大而呈指数增加。
陆兴泽顾道明赵诗友蒋红兵张甫龙王迅
关键词：多孔硅光电子材料
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