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丁训民

作品数：74 被引量：158H指数：8
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇期刊文章
  • 21篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 35篇电子电信
  • 16篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程

主题

  • 17篇发光
  • 16篇砷化镓
  • 16篇半导体
  • 13篇多孔硅
  • 10篇钝化
  • 7篇电子能
  • 7篇GAAS
  • 6篇电致发光
  • 6篇电子能谱
  • 6篇硫钝化
  • 5篇有机半导体
  • 5篇微腔
  • 5篇发光器件
  • 5篇半导体材料
  • 5篇GAAS表面
  • 4篇氮化
  • 4篇电化学腐蚀
  • 4篇有机层
  • 4篇砷化镓表面
  • 4篇金属

机构

  • 74篇复旦大学
  • 5篇长沙电力学院
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇上海交通大学
  • 2篇西南师范大学
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇东北林业大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 74篇丁训民
  • 61篇侯晓远
  • 17篇熊祖洪
  • 16篇曹先安
  • 13篇王迅
  • 11篇陈溪滢
  • 8篇廖良生
  • 8篇何钧
  • 7篇刘小兵
  • 7篇卢学坤
  • 7篇柳毅
  • 7篇张松涛
  • 7篇董国胜
  • 6篇来冰
  • 6篇詹义强
  • 6篇钟高余
  • 5篇贺仲卿
  • 5篇徐少辉
  • 5篇袁泽亮
  • 4篇胡海天

传媒

  • 16篇物理学报
  • 15篇Journa...
  • 2篇物理
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇国际学术动态
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇复旦学报（自...
  • 1篇中国激光
  • 1篇长沙电力学院...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第四届中国功...
  • 1篇第七届全国暨...
  • 1篇第九届全国发...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 7篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 9篇2000
  • 3篇1999
  • 7篇1998
  • 8篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种采用金属吸收层的有机光电器件
本发明属于有机光电器件技术领域，具体为一种采用金属吸收层的有机光电器件。本发明在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。本发明发现并证实金属材料的光吸收能够促进有机光电器件中载...
侯晓远武博孙晓宇李文彬孙正义丁训民
一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法
一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1-...
侯晓远王子君丁训民
文献传递
氧在GaP()上的初级吸附阶段被引量：1
1990年
采用多种表面分析手段,系统地研究了氧在GaP(Ⅲ)上的吸附,发现氧的初级吸附在1×10~4L时就已饱和,获得了有关这一阶段表面电子结构的变化、表面能带弯曲、化学吸附反应等方面的信息,发现这一吸附阶段与表面缺陷有关,适当地加热处理则可能将缺陷和氧一同去除,因此这有可能成为一种有效的、去除缺陷的表面工程手段。
肖撼宇卢学坤董国胜丁训民陈平
关键词：氧GAP
有机半导体器件相关的新奇物理现象及物理机制研究
侯晓远游胤涛何鋆高歆栋孙正义王美良丁训民
多孔硅的电致发光研究被引量：12
1993年
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。
张甫龙郝平海史刚侯晓远丁训民黄大鸣王迅
关键词：硅多孔硅电致发光
β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱
2000年
在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga
董阳王康林丁训民来冰曹先安侯晓远
关键词：GAAS表面光电子能谱砷化镓
P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
1992年
本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。
卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民
关键词：磷砷化镓相互作用温度相关
发光多孔硅材料的制备方法
一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中，电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部，反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中，阻止反应的进一步进行，导致直流腐...
侯晓远范洪雷柳毅熊祖洪丁训民
文献传递
用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜被引量：13
2001年
介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。
凌浩施维孙剑应质峰吴嘉达李富铭王康林丁训民
关键词：脉冲激光沉积氮化铝激光烧蚀
有机发光器件中的双亲分子缓冲层及其制备方法
一种采用双亲分子超薄膜作为有机发光器件中有机电子传输层与金属电极之间连接层或缓冲层及其制备方法。传统的有机发光器件中的缓冲层是无机缓冲层，缓冲层的引入改善了有机发光器件的电子注入，提高了有机发光器件的效率。但是传统的缓冲...
侯晓远詹义强熊祖洪丁训民
文献传递
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