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王琦

作品数:24 被引量:13H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学医药卫生更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 8篇学位论文
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇功率器件
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体功率器...
  • 5篇槽栅
  • 4篇电池
  • 4篇有机太阳能电...
  • 4篇有源
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇漂移
  • 3篇电子学
  • 3篇图案
  • 3篇缓冲层
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子学
  • 3篇MOO3
  • 2篇单分子
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇信号

机构

  • 24篇电子科技大学
  • 2篇电子科技大学...

作者

  • 24篇王琦
  • 7篇罗尹春
  • 7篇蒋永恒
  • 7篇罗小蓉
  • 7篇范叶
  • 7篇周坤
  • 7篇王沛
  • 7篇蔡金勇
  • 5篇于军胜
  • 5篇范远航
  • 4篇王骁玮
  • 4篇蒋亚东
  • 4篇王娜娜
  • 3篇单娟
  • 3篇王骁伟
  • 3篇魏杰
  • 2篇张波
  • 2篇姚国亮
  • 1篇卢祥林
  • 1篇李青

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2015
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种双栅功率MOSFET器件
一种双栅功率MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上,通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸,形成纵向漏极接触区(12a),并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触...
罗小蓉周坤姚国亮蒋永恒王沛王琦罗尹春蔡金勇范叶范远航王骁玮
文献传递
重庆市促进建筑垃圾资源化利用的政策研究
改革开放四十多年来,我国城市化进程经历了大规模的粗放发展,城市更新、旧城改造与新城建设同步进行,由此带来建筑垃圾产生量逐年攀升,生态环境遭受巨大损害,国内许多城市相继进入“垃圾围城”的境况。与国内其他一线城市相比,重庆市...
王琦
关键词:建筑垃圾资源化利用公共政策
一种将DNA图案精确放置在基底表面的方法
本发明公开了一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法,其包括以下步骤:利用DNAbrick法设计DNA折纸结构图,将所有链进行混合并退火,形成DNA图案。对基底表面处理呈疏水性,并利用等离子体刻蚀法形成掩膜版。将掩膜...
郭小伟王琦郝仟禧李若禺杜黎
具有高K介质槽的功率MOS研究
基于对常规VDMOS、超结Super Junction和高K材料的研究,研究了新型的高K介质槽功率MOSFET,旨在优化VDMOS的击穿电压与比导通电阻等性能,本文研究了四种具有高K介质槽的新型功率VDMOS器件。 (1...
王琦
关键词:VDMOS击穿电压比导通电阻
航改燃机微网发电控制技术的研究与设计
科学技术的发展、公共环境政策和电力市场的扩大等因素的共同作用,使得分布式发电成为新世纪全球电力行业和能源产业的重要发展方向。航改燃机发电因其独有的特点,可以提供优质、清洁的新型分布式电能。基于航改燃机发电系统的微网系统可...
王琦
关键词:微网系统温度控制
槽栅半导体功率器件
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题,提供了一种槽栅半导体功率器件,其技术方案可概括为:槽栅半导体功率器件,其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区...
罗小蓉蒋永恒蔡金勇范叶王沛王骁伟周坤王琦罗尹春张波
文献传递
MoO_3对有机太阳能电池性能影响的研究被引量:1
2011年
采用MoO_3作为阳极缓冲层,制备了结构为ITO/MoO_3/P3HT/C_(60)/Bphen/Ag的有机太阳能电池器件,研究了MoO_3薄膜厚度对器件性能的影响。采用常用的等效电路模型,仿真计算得到MoO_3缓冲层对器件串联电阻的影响。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了MoO_3缓冲层对器件光子吸收的作用。结果表明,在MoO_3厚度为1 nm时,器件的短路电流密度、开路电压和填充因子都得到了提高。MoO_3可以改善电极和有机层的界面接触性能,能够有效降低器件的串联电阻,提高载流子的传输和收集效率;同时,MoO_3缓冲层透过率高,不会对器件的光吸收效率造成影响。
王娜娜于军胜王琦单娟蒋亚东
关键词:光电子学有机太阳能电池缓冲层MOO3
一种槽型半导体功率器件的制造方法
本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化,之后采用外...
罗小蓉王沛蔡金勇范叶王琦蒋永恒周坤魏杰罗尹春范远航王骁伟
一种槽型半导体功率器件
本发明公开了一种槽型半导体功率器件,涉及槽型半导体功率器件技术领域,包括衬底层和有源层,所述有源层中形成有槽栅,槽栅纵向至少伸入到有源层中;在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽,阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬...
罗小蓉王沛范叶蔡金勇王琦蒋永恒周坤王骁玮范远航魏杰罗尹春
文献传递
槽栅半导体功率器件
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题,提供了一种槽栅半导体功率器件,其技术方案可概括为:槽栅半导体功率器件,其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区...
罗小蓉蒋永恒蔡金勇范叶王沛王骁伟周坤王琦罗尹春张波
文献传递
共3页<123>
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