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王沛

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇功率器件
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体功率器...
  • 7篇槽栅
  • 4篇有源
  • 4篇漂移
  • 4篇半导体技术
  • 4篇半导体器件
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电极
  • 2篇电极制备
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇双栅
  • 2篇器件尺寸
  • 2篇漏极
  • 2篇介质隔离
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇MOSFET...

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇王沛
  • 9篇罗尹春
  • 9篇蒋永恒
  • 9篇罗小蓉
  • 9篇范叶
  • 9篇周坤
  • 9篇蔡金勇
  • 7篇王琦
  • 7篇范远航
  • 6篇王骁玮
  • 4篇张波
  • 3篇王骁伟
  • 3篇魏杰
  • 2篇姚国亮

年份

  • 4篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种槽型半导体功率器件
本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬...
罗小蓉王沛范叶蔡金勇王琦蒋永恒周坤王骁玮范远航魏杰罗尹春
文献传递
槽栅半导体功率器件
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区...
罗小蓉蒋永恒蔡金勇范叶王沛王骁伟周坤王琦罗尹春张波
文献传递
纵向功率半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有槽栅超结的半导体功率器件的制造工艺难度较大的问题，提供了一种纵向功率半导体器件的制造方法，其技术方案可概括为：首先外延形成第一半导体区，在其顶部生长氧化层及淀积掩蔽层，并进行光刻...
罗小蓉周坤范叶范远航蒋永恒王沛王骁玮罗尹春蔡金勇张波
文献传递
一种槽型半导体功率器件的制造方法
本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化，之后采用外...
罗小蓉王沛蔡金勇范叶王琦蒋永恒周坤魏杰罗尹春范远航王骁伟
一种槽型半导体功率器件
本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬...
罗小蓉王沛范叶蔡金勇王琦蒋永恒周坤王骁玮范远航魏杰罗尹春
文献传递
一种双栅功率MOSFET器件
一种双栅功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上，通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸，形成纵向漏极接触区（12a），并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触...
罗小蓉周坤姚国亮蒋永恒王沛王琦罗尹春蔡金勇范叶范远航王骁玮
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高压低阻SOI横向功率器件研究
拓展了电流路径而且起到隔离槽作用，这简化了工艺和节约了成本。在相同的器件尺寸21.5μm下，我们最终获得SOI MT(Multiple Trench)LDMOS(Lateral Diffused MetalOxide S...
王沛
关键词：击穿电压
槽栅半导体功率器件
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区...
罗小蓉蒋永恒蔡金勇范叶王沛王骁伟周坤王琦罗尹春张波
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纵向功率半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有槽栅超结的半导体功率器件的制造工艺难度较大的问题，提供了一种纵向功率半导体器件的制造方法，其技术方案可概括为：首先外延形成第一半导体区，在其顶部生长氧化层及淀积掩蔽层，并进行光刻...
罗小蓉周坤范叶范远航蒋永恒王沛王骁玮罗尹春蔡金勇张波
文献传递
一种双栅功率MOSFET器件
一种双栅功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上，通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸，形成纵向漏极接触区（12a），并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触...
罗小蓉周坤姚国亮蒋永恒王沛王琦罗尹春蔡金勇范叶范远航王骁玮
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