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姜婷

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇紫外固化
  • 2篇芯片
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成光波导
  • 2篇光波
  • 2篇光刻
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤阵列
  • 2篇感应耦合
  • 2篇感应耦合等离...
  • 2篇感应耦合等离...
  • 2篇波导
  • 1篇氧化锡
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇特性分析
  • 1篇凝胶法制备

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇胡雄伟
  • 4篇姜婷
  • 4篇吴远大
  • 4篇王玥
  • 4篇李建光
  • 4篇安俊明
  • 3篇王红杰
  • 1篇李帅

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
SiO_2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究被引量：1
2011年
设计并制作了一种基于SiO2/Si材料的Mach-Zehnder干涉仪（MZI）型集成光波导传感芯片。采用不同浓度的NaCl溶液对传感芯片的敏感特性进行了测试分析,研究结果表明,该传感芯片对特定浓度NaCl溶液的响应和恢复时间分别为1.0 s和0.6 s,可测最小折射率变化为2×10-4RIU（单位折射率变化）,在NaCl溶液折射率1.3488~1.3736范围内具有较好的线性响应。
吴远大姜婷安俊明李建光王玥王红杰胡雄伟
关键词：NACL溶液SIO2/SI
集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法
一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上...
姜婷吴远大王玥安俊明李建光王红杰胡雄伟
文献传递
溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜特性分析
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了高质量的SnO薄膜材料。采用SnCl·5HO作为反应前躯体,无水乙醇作为共溶剂,利用旋转涂覆的方法在Si片上成膜,经过干燥、退火处理得到SnO薄膜。采用X射线衍射(XRD)和原子力...
姜婷吴远大王玥安俊明李建光李帅胡雄伟
关键词：溶胶-凝胶二氧化锡敏感膜
文献传递
集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法
一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上...
姜婷吴远大王玥安俊明李建光王红杰胡雄伟
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