吴远大
- 作品数:160 被引量:180H指数:6
- 供职机构:吉林大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 硅纳米槽微环谐振器温度特性研究被引量:4
- 2010年
- 理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5μm半径槽微环在1.55μm附近的谐振波长随温度变化为0.049nm/℃,而相同温度、半径以及折射率情况下纳米线微环谐振波长随温度变化为0.092nm/℃,是槽微环的1.88倍。而且改变槽微环的槽宽和两侧Si条的宽度也会对微环的温度特性有影响,增加槽宽或者减小Si条宽度都会使谐振波长随温度的变化进一步减小。通过采用负温度系数聚合物材料WIR30-490和优化槽波导的结构参数,使得温度对微环谐振波长的影响降低到0.0023nm/℃。
- 宋世娇安俊明赵雷吴远大胡雄伟
- 关键词:集成光学微环温度稳定性
- 层间耦合器
- 本公开提出一种层间耦合器,包括:第一波导层、中包层和第二波导层。其中,第一波导层由第一波导、第一渐变型波导和第二渐变型波导依次连接构成;第一渐变型波导的宽度逐渐变窄,第二渐变型波导的宽度逐渐变宽;第二波导层由第二波导、第...
- 李绍洋王玥王亮亮吴远大安俊明
- 文献传递
- 一种光子晶体微腔激光器
- 本发明公开了一种光子晶体微腔激光器,包括一光子晶体微腔和一输出波导,所述光子晶体微腔是在SOI衬底顶层硅上完整的二维平板三角晶格空气孔型光子晶体中间去掉若干个空气孔而形成的,是边长为4个晶格常数的正六边形H4型微腔,与该...
- 张家顺王玥吴远大安俊明王红杰李建光胡雄伟
- 一种刻蚀衍射光栅型波分复用/解复用器
- 本发明公开了一种刻蚀衍射光栅型波分复用/解复用器,包括输入波导、输出波导、自由传输平板波导区和刻蚀衍射光栅,输入波导和输出波导位于自由传输平板波导区的同一侧,并均与自由传输平板波导区相连,自由传输平板波导区的另一侧与刻蚀...
- 王玥张家顺安俊明吴远大王红杰李建光胡雄伟
- 光子晶体双异构微腔增强掺铒硅基发光效应研究
- 我们在项层硅掺铒的SOI衬底上制作了二维非对称平板三角晶格光子晶体双异构微腔。室温PL谱中,仅存在一个位于1552.2nm通信波长处的很尖锐的发光峰,其发光强度相对于同等注入条件无光子晶体结构的SOI晶片增强了35倍。随...
- 王玥张家顺吴远大安俊明李建光王红杰胡雄伟
- 关键词:光子晶体
- 基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成(英文)被引量:2
- 2019年
- 波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成。该器件的片上损耗小于7dB,串扰小于-22dB。电吸收型VOA在20dB的衰减量下的功耗为572mW(106mA,5.4V)。此外,该器件可以实现光功率的快速衰减,在0~5V的外加方波电压下,VOA上升及下降时间分别为50.5ns和48ns。
- 袁配王玥吴远大安俊明安俊明
- 关键词:阵列波导光栅可调光衰减器绝缘体上硅
- 一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构
- 本发明公开了一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构,包括五根波导和四个双环模块,其中波导分为两部分,中间的一根波导是作为主路的主路波导,标以Input和Output,表示整个结构的输入和输出;另外的四根波导是作为分路的...
- 李帅吴远大尹小杰安俊明胡雄伟
- H_2S敏感薄膜材料的研究被引量:1
- 1999年
- 报导了采用PECVD方法制备SnO_2敏感薄膜材料,并用浸渍法对薄膜修饰了金属氧化物CuO。实验发现该薄膜材料对H_2S气体具有很高的灵敏度和选择性,并且具有较快的响应、恢复速度。
- 吴远大戴国瑞南金
- 关键词:气敏材料表面改性硫化氢
- SoI基微环谐振可调谐滤波器被引量:11
- 2011年
- 采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4-60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃。
- 姜宏伟吴远大
- 关键词:滤波器热光效应
- 溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜特性分析
- 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了高质量的SnO薄膜材料。采用SnCl·5HO作为反应前躯体,无水乙醇作为共溶剂,利用旋转涂覆的方法在Si片上成膜,经过干燥、退火处理得到SnO薄膜。采用X射线衍射(XRD)和原子力...
- 姜婷吴远大王玥安俊明李建光李帅胡雄伟
- 关键词:溶胶-凝胶二氧化锡敏感膜
- 文献传递