许怀哲
- 作品数：27 被引量：93H指数：5
- 供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理被引量：6
- 1997年
- 用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。
- 许怀哲朱美芳侯伯元陈光华马智训陈培毅
- 关键词：二氧化硅
- a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的界面特性研究
- 1992年
- 本文用红外(IR)和拉曼(Raman)谱研究了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的界面特性.定量分析发现,界面处没有因应力释放引起的 H 富集,不存在由超晶格结构引起的界面结构无序,界面处存在着～(5±2)(?)的 Si、Ge 组分混合层.我们对结果进行了初步分析.
- 王印月许怀哲张仿清
- 关键词：超晶格拉曼谱半导体
- 高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究被引量：23
- 1998年
- 采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜．其结构特征用Ｒａｍａｎ谱，红外透射谱，小角Ｘ射线散射等来表征．结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χｃ随氢稀释度的提高而增加．而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少．小角Ｘ射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加．结合红外谱和小角Ｘ射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中Ｈ的键合状态．认为随着晶化的发生和晶化程度的提高Ｈ逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中Ｈ的存在形式从以ＳｉＨ为主向ＳｉＨ２转变，即在微晶硅膜中主要以ＳｉＨ２形式存在于晶粒的界面．
- 郭晓旭朱美芳刘金龙韩一琴刘金龙董宝中生文君许怀哲
- 关键词：氢化微晶硅微结构
- Li,Co共掺杂ZnO纳米颗粒的结构和磁性研究被引量：5
- 2009年
- 利用溶胶-凝胶法制备了不同组分的Zn0.95-xCo0.05LixO纳米颗粒,并通过透射电子显微镜、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和振动样品磁强计对其结构和磁性进行了系统的研究。结果表明,当Li掺杂比例在7%以下时,Zn0.95-xCo0.05LixO纳米颗粒仍具有很好的ZnO六角纤锌矿结构,但随着Li掺杂量的增加,晶格常数a和c值略有减小;Zn0.95-xCo0.05LixO的室温铁磁性随x的增大而显著增强。当Li掺杂量达到9%时,在Zn0.95-xCo0.05LixO纳米颗粒的XRD谱中检测出第二相的LiCoO2団簇,样品的铁磁磁化强度明显下降。表征结果显示Li掺入Zn0.95Co0.05O的反应过程可以分为3个阶段。前两个阶段分别在材料中引入了Li′Zn深能级缺陷和Li+填隙离子,第三个阶段则产生了LiCoO2第二相结构。样品铁磁性的变化与Li掺杂引入的这些缺陷和第二相有关,可由束缚磁极化子(BMP)模型解释。
- 李建军郝维昌许怀哲王天民
- 关键词：稀磁半导体
- GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性被引量：8
- 1999年
- 报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．
- 姜卫红许怀哲龚谦徐波王吉政周伟梁基本王占国
- 关键词：砷化镓衬底砷化铟光学特性
- 任意势能量子阱本征值有限元计算方法
- 1992年
- 本文提出了计算任意势能分布量子阱的有限元方法,该方法从Galerkin(伽辽金)有限元方法出发,采用三级线元作为有限元以及熟知的边界条件,即波函数及其一阶导数除以电子有效质量在边界处连续。通过计算GaAs/AlGaAs方型量子阱本征值证实了该方法的有效性。
- 许怀哲王印月
- 关键词：有限元特征值
- 1．4μm～1．7μm宽带光放大材料研究
- 2008年
- 宽带光放大是指在整个硅基光纤最低损耗带1.4μm^1.7μm能够获得有效信号净增益的光放大。研究高效的宽带光放大材料可以大大满足人们提高通信容量和实现光集成的要求。材料体系的研究主要集中在稀土掺杂氧化物薄膜、玻璃材料和有机聚合物材料上。着重从宽带的获得、发光性能的改善和发光机理的探索3个方面介绍了稀土掺杂玻璃和薄膜材料的研究进展。结合已经取得的结果和积累的经验,探讨了提高发光效率的方法,指出纳米结构设计的共掺材料体系可以获得有效的宽带发光。最后展望了本领域的发展前景。
- 周博肖志松燕路朱放黄安平王金良许怀哲
- 关键词：光放大稀土材料
- 过渡金属掺杂元素在ZnO基质中的状态及其磁耦合机制研究
- 近年来，过渡金属元素掺杂的ZnO 纳米颗粒因其因在稀磁半导体、光催化、敏感元件等领域潜在应用前景受到了广泛的重视。但有关掺杂元素在纳米颗粒表面的分布状态，以及掺杂元素对ZnO 本征缺陷的影响始终是此领域悬而未决的问题。我...
- 郝维昌李建军程岩许怀哲王天民
- 关键词：ZNO过渡金属掺杂
- 载气对炭/炭复合材料沉积速率、体密度和微观结构的影响（英文）被引量：2
- 2015年
- 分别采用H2和CO2作为载气,CH4为前躯体,通过等温化学气相渗积制备炭/炭复合材料,通过偏光显微镜、拉曼光谱、X射线衍射和透射电镜对材料微观结构表征以及渗积过程密度变化,研究载气对沉积速率、体密度和微观结构的影响规律。结果表明:在渗积前50 h,CH4-H2体系的沉积速率明显大于CH4-CO2体系,但在其余渗积时间里,CH4-H2体系的沉积速率小于CH4-CO2体系。当载气从H2变成CO2时,复合材料的体密度从1.626 g/cm3增加到1.723 g/cm3,最大径向密度梯度从0.074 g/cm3减小到0.056 g/cm3。同时,基体炭从纯的粗糙体炭转变为杂化粗糙体炭含有过度生长锥,且平均石墨化度从62.7%下降到50.8%。这些显著的变化是由于CO2的氧化作用降低了表面沉积速率,却没有降低孔内沉积速率,同时大量的缺陷形成于层状石墨烯结构中导致形成过度生长锥,降低了热解炭织构。
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- 关键词：微观结构载气
- 用有限单元法计算量子阱结构本征值
- 1991年
- 本文从有限元伽辽金(Galerkin)方法出发,提出了计算任意势能变化半导体量子阱本征值的有限元方法,在该方法中,有限元仅用在量子阱区域,而半无限势垒的贡献用解析式给出,通过计算方量子阱及截短抛物线型势阱本征值证实了该方法的有效性。
- 许怀哲
- 关键词：本征值有限单元法
