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郑耀明

作品数:11 被引量:8H指数:2
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇气相沉积
  • 5篇物理气相沉积
  • 4篇半导体
  • 3篇电池
  • 3篇多晶
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇探测器
  • 3篇超声波
  • 3篇超声波作用
  • 2篇导体
  • 2篇电阻率
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜板
  • 2篇真空蒸发沉积
  • 2篇射线
  • 2篇特殊设计
  • 2篇晶粒
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇工艺技术

机构

  • 11篇上海大学

作者

  • 11篇郑耀明
  • 10篇史伟民
  • 7篇张瑜
  • 5篇郭余英
  • 4篇余俊阳
  • 3篇魏光普
  • 2篇郑伟峰
  • 2篇徐环
  • 2篇王林军
  • 2篇王漪
  • 2篇陈盛
  • 1篇夏义本
  • 1篇秦娟
  • 1篇张瑜
  • 1篇朱文清

传媒

  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 8篇2008
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法
本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法,主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法,它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法,属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊...
郑耀明史伟民郭余英张瑜陈盛余俊阳
文献传递
应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法
本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法,主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜,属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明:...
郭余英史伟民郑耀明魏光普张瑜
文献传递
非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能被引量:5
2008年
采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
郑耀明史伟民魏光普秦娟徐环
关键词:多晶非晶硅物理气相沉积
CuPc薄膜及其厚度对太阳电池性能的影响被引量:3
2008年
酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料,其优异的稳定性和良好的光电性能,越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行了XRD、Raman光谱、紫外-可见光谱,以研究该薄膜的结构及光学性能,并对肖特基型太阳电池ITO/CuPc/Al进行研究,通过改变CuPc的厚度,讨论其对该太阳电池电学性能的影响.
张瑜史伟民郑耀明王林军朱文清夏义本
关键词:太阳能电池
超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法
本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法,主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法,它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法,属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊...
郑耀明史伟民郭余英张瑜陈盛余俊阳
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多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法
本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法,特别是一种X射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法,属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是:先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛...
郑耀明史伟民张瑜余俊阳郑伟峰王漪
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超声波作用下多晶碘化汞膜的制备及其探测器的研究
碘化汞(HgI2)是一种性能优异的新型室温半导体核辐射探测器材料。其理论电阻率高(约1013Ω·cm)、原子序数大(Hg=80,I=53)、禁带宽度较大(2.13eV),在室温下暗电流小,对X射线、γ射线能量分辨率好。用...
郑耀明
关键词:超声波作用电极制备
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应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法
本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法,主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜,属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明:...
郭余英史伟民郑耀明魏光普张瑜
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真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置
本实用新型涉及一种真空蒸发气相沉积薄膜生长装置,属物理气相沉积技术领域。本实用新型的装置主要包括有一种罩形玻璃容器(9),其上部为烧有钨丝的玻璃顶盖(11),两者结合处设置有密封圈凹槽(10);容器(9)底部有一盛放源料...
史伟民郑耀明徐环
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一种有机材料的真空升华提纯方法及装置
本发明涉及一种真空升华提纯方法及装置,属物理气相沉积技术领域。该提纯过程采用两步真空升华工艺,第一次升华温度控制在有机材料升华点以下30~40℃,为进一步去除杂质,须采用第二次低温真空升华;第二次升华温度控制在有机材料升...
史伟民王林军张瑜郑耀明郭余英
文献传递
共2页<12>
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