郭余英
- 作品数：11 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管被引量：7
- 2013年
- 对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10 V反偏电压下,该器件电流增益可达335.
- 顾仁杰沈川王伟强付祥良郭余英陈路
- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管
- 应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：...
- 郭余英史伟民郑耀明魏光普张瑜
- 文献传递
- 多晶碘化汞探测器的制备及性能被引量：2
- 2007年
- 碘化汞(HgI2)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。制备了多晶HgI2探测器,结果显示所得器件在室温下对5.9 keV的55Fe X射线和5.5 MeV的241Amα粒子具有较好的能量分辨率,分别为0.24 keV和0.72 MeV(未使用准直器)。
- 徐环史伟民雷平水林飞燕郭余英
- 关键词：探测器多晶能量分辨率
- 超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法，属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊...
- 郑耀明史伟民郭余英张瑜陈盛余俊阳
- 文献传递
- Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制被引量：4
- 2011年
- 基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μm的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5～1个数量级,最好结果为2.5×105cm-2.
- 沈川顾仁杰傅祥良王伟强郭余英陈路
- 关键词：碲镉汞热退火位错分子束外延
- 超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法，属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊...
- 郑耀明史伟民郭余英张瑜陈盛余俊阳
- 文献传递
- 掺杂SnS薄膜的制备及电学性能被引量：2
- 2007年
- 硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值。本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb_2O_3、Se、Te、In、In_2O_3、Se和In_2O_3的混合物。对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(Ⅰ—Ⅴ)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(G_(photo)/G_(dark))。结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,G_(photo)/G_(dark)增加约一倍。同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%。
- 郭余英史伟民魏光普邱永华夏义本
- 关键词：太阳电池掺杂电阻率
- 应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：...
- 郭余英史伟民郑耀明魏光普张瑜
- 文献传递
- 一种有机材料的真空升华提纯方法及装置
- 本发明涉及一种真空升华提纯方法及装置，属物理气相沉积技术领域。该提纯过程采用两步真空升华工艺，第一次升华温度控制在有机材料升华点以下30～40℃，为进一步去除杂质，须采用第二次低温真空升华；第二次升华温度控制在有机材料升...
- 史伟民王林军张瑜郑耀明郭余英
- 文献传递
- 衬底温度对SnS薄膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨。对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征。实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为0.01Ω-1.cm-1和0.08Ω-1.cm-1,禁带宽度为1.402eV。
- 郭余英史伟民魏光普夏义本
- 关键词：太阳能电池衬底温度
