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刘琳

作品数：16 被引量：21H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

领域

  • 11个电子电信
  • 9个电气工程
  • 4个理学
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  • 1个金属学及工艺
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个文化科学

主题

  • 11个单片
  • 11个单片集成
  • 11个砷化镓
  • 11个放大器
  • 10个电路
  • 10个晶体管
  • 9个单片集成电路
  • 9个移相器
  • 8个低噪
  • 8个低噪声
  • 8个低噪声放大器
  • 8个多倍频程
  • 8个移动通信
  • 8个衰减器
  • 8个通信
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  • 7个电子迁移率
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  • 5个单片低噪声放...
  • 4个单刀双掷

机构

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  • 5个中国电子科技...
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  • 2个西安交通大学
  • 2个电子工业部
  • 2个电子部
  • 2个微波毫米波单...
  • 2个中华人民共和...
  • 1个东南大学
  • 1个中国科学院
  • 1个西安电子科技...

资助

  • 7个国家自然科学...
  • 5个微波毫米波单...
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  • 2个国家高技术研...
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  • 1个江苏省高技术...
  • 1个江苏省科技支...
  • 1个国家部委资助...
  • 1个国家教育部博...
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传媒

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地区

  • 11个江苏省
共 11 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴永胜
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞土法
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 MMIC 功率放大器 单片集成电路 多倍频程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李祖华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 场效应晶体管 MESFET 可靠性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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