陈效建
- 作品数：109 被引量：179H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计被引量：1
- 2006年
- 文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0．25μm×120μm pHEMT,在6GHz～18GHz频带内,小信号增益14．3 ±0．8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6．5 dB,完全满足MPM要求。
- 汪珍胜陈效建郑惟彬李辉
- 关键词：微波单片集成电路频率均衡器微波功率模块
- 一种软磁磁芯螺旋微电感的制作方法
- 本发明涉及的是一种软磁磁芯螺旋微电感的制作方法，其特征在于集成NiFe-AlO<Sub>x</Sub>软磁磁芯螺旋电感，工艺步骤包括1）制备电感下层金属；2）制备第一层苯并环丁烯BCB介质层；3）制备NiFe-AlO<S...
- 孔岑周建军李辉陈效建
- 文献传递
- 一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器被引量：11
- 2003年
- 介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 。
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路可变衰减器GAASMMIC
- K波段单片功率放大器被引量：3
- 2000年
- 报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P－1=19dBm。
- 陈新宇蒋幼泉黄念宁陈效建
- 关键词：PHEMTMMICK波段单片功率放大器
- 高功率、高效率功率PHEMT
- 本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在f=11.2GHz、V=8.5V时该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7%,在V=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均大于4...
- 陈堂胜杨立杰周焕文李拂晓陈效建
- 文献传递
- 自对准AlGaAs/GaAs准弹道异质结双极晶体管(B-HBT)
- 1990年
- HBT由于采用了宽禁带发射区,充分利用了EB异质结能带的特点,使器件同时具有高的基区掺杂浓度和注入效率,并且,击穿电压高,势垒电容小,因而,适用于超高速数字电路.准弹道HBT在上述基础上又利用了电子在基区内的准弹道渡越性质,使器件的频率特性进一步改善,因而,特别适合于微波及毫米波应用.自对准工艺的实现,可充分降低外基区电阻与集电结电容,充分发挥了HBT的微波与高速性能.
- 陈效建吴英
- 关键词：ALGAAS/GAAS双极晶体管
- AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果被引量：4
- 1995年
- 借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。
- 陈效建刘军郑雪帆
- 关键词：功率PHEMTCAD异质结
- S波段PHEMT单片低噪声放大器
- 2001年
- 采用 PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S波段低噪声放大器。利用 HPIC- CAP软件系统提取 PHEMT管芯的 EEHEMT1模型参数 ,并结合 HP- EEsof Series IV软件的优化设计 ,及 Cadence L ayout版图设计 ,最终在 76 mm的 MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下 。
- 岑元飞陈效建王军贤高建峰林金庭
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器S波段单片集成电路
- In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
- 2001年
- 提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。
- 徐红钢陈效建高建峰郝西萍
- 用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制被引量：2
- 2002年
- 报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
- 蒋幼泉陈继义李拂晓高建峰徐中仓邵凯陈效建杨乃彬
- 关键词：手机双刀双掷开关
