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李荫波

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:陕西微电子学研究所更多>>
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5 条 记 录,以下是 1-5
王方
供职机构:陕西微电子学研究所
研究主题:MOSFET VLSI LDD 氧化法 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭忠献
供职机构:陕西微电子学研究所
研究主题:MOSFET VLSI LDD 反应离子刻蚀 工艺优化研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大林
供职机构:陕西微电子学研究所
研究主题:MOSFET LDD 氧化法 VLSI 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄敞
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:集成电路 CMOS 亚微米 MOSFET LDD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大林
供职机构:江苏自动化研究所
研究主题:大型风力机 仿真 剪切 旋转变压器 风力机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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